半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底中形成有沟槽；栅极层，形成于所述衬底上，所述栅极层包括主栅以及与所述主栅连接的扩展栅，所述主栅还形成于所述沟槽中；源极区和漏极区，分别形成于所述主栅两侧的所述衬底中；体接触区，形成于所述扩展栅远离所述主栅一侧的所述衬底中。本发明专利技术使得能够采用更简化的工艺提高栅极对沟道的控制能力。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，特别涉及一种半导体器件及其制造方法。

技术介绍

1、在目前的半导体制造工艺下，随着制程日益缩短，mosfet（metal oxidesemiconductor field effect transistor，金属氧化物半导体场效应管）的栅极对沟道的控制能力在逐渐减弱。对于先进制程，为了提高栅极对沟道的控制能力，finfet（finfield-effect transistor，鳍式场效应晶体管）技术应运而生，但是finfet技术过于复杂。

2、因此，如何采用更简化的工艺提高栅极对沟道的控制能力是目前亟需解决的问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，使得能够采用更简化的工艺提高栅极对沟道的控制能力。

2、为实现上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件，包括：

3、衬底，所述衬底中形成有沟槽；

4、栅极层，形成于所述衬底上，所述栅极层包括主栅以及与所述主栅连接的扩展栅，所述主栅还形成于所述沟本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极层的形状为T型，T型的“｜”部位为所述主栅，T型的“―”部位为所述扩展栅；或者，所述栅极层的形状为H型，H型的“―”部位为所述主栅，H型的“｜”部位为所述扩展栅。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为体衬底；或者，所述衬底为SOI衬底，所述SOI衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层，所述沟槽贯穿或未贯穿所述半导体层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

5.如权利要求1所述的半导体器件...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极层的形状为t型，t型的“｜”部位为所述主栅，t型的“―”部位为所述扩展栅；或者，所述栅极层的形状为h型，h型的“―”部位为所述主栅，h型的“｜”部位为所述扩展栅。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为体衬底；或者，所述衬底为soi衬底，所述soi衬底包括自下向上的下层衬底、绝缘埋层和半导体层，所述沟槽贯穿或未贯穿所述半导体层。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的数量为多个，多个所述沟槽在所述源极区指向所述体接触区的方向上间隔排布。

6.如权利要求1-5任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐瑞璋，朱奎，李乐，朱新月，杨旭锋，吴年汉，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：