【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种传输门电路(pass gate circuit)。传输门电路也可称为互补金属氧化物半导体(cmos)传输门，其是以cmos技术实施的一种数字开关。
技术介绍
1、典型地，cmos传输门包括至少一对金属氧化物半导体(mos)场效应晶体管(fet)，即n沟道mosfet和p沟道mosfet。这些mosfet并联连接，并且它们的栅极可以彼此连接，或者可以不彼此连接。
2、如果栅极彼此连接，则施加到mosfet的栅极的控制信号将确保mosfet中的一个导通，而mosfet中的另一个截止，从而允许电流流过器件。
3、如果栅极没有彼此连接，则通常存在串联放置的一个或两个反相器。第一反相器的输出可以连接到p沟道mosfet的栅极，第二反相器的输出可以连接到n沟道mosfet的栅极。这将确保所有mosfet通过相同的控制信号(即提供至第一反相器的输入的控制信号)截止或导通。
4、cmos传输门可用于控制数字电路(诸如存储器单元和数字多路复用器中)中的电信号流。cmos传输门具有低功耗、高抗噪性、高输入阻...
【技术保护点】
1.一种布置成基于控制信号将输入提供至输出的传输门电路，所述传输门电路包括：
2.根据前述权利要求中任一项所述的传输门电路，其中所述传输门开关包括两个串联连接的P型金属氧化物半导体场效应晶体管和两个串联连接的N型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述两个P型金属氧化物半导体场效应晶体管与所述两个N型金属氧化物半导体场效应晶体管并联级联，
3.根据前述权利要求中任一项所述的传输门电路，其中所述故障保护电路还包括：
4.根据前述权利要求中任一项所述的传输门电路，其中所述故障保护反相器被布置为通过以下操作由所述故障保护反相器的所述输出进一...
【技术特征摘要】
1.一种布置成基于控制信号将输入提供至输出的传输门电路，所述传输门电路包括：
2.根据前述权利要求中任一项所述的传输门电路，其中所述传输门开关包括两个串联连接的p型金属氧化物半导体场效应晶体管和两个串联连接的n型金属氧化物半导体场效应晶体管，其中所述两个p型金属氧化物半导体场效应晶体管与所述两个n型金属氧化物半导体场效应晶体管并联级联，
3.根据前述权利要求中任一项所述的传输门电路，其中所述故障保护电路还包括：
4.根据前述权利要求中任一项所述的传输门电路，其中所述故障保护反相器被布置为通过以下操作由所述故障保护反相器的所述输出进一步控制所述p型金属氧化物半导体场效应晶体管的所述栅极：
5.根据权利要求4所述的传输门电路，其中所述故障保护电路还包括：
6.根据前述权利要求中任一项所述的传输门电路，其中所述故障保护电路还包括：
7.一种操作根据前述权利要求中任一项所述的传输门电路的方法，其中所述方法包括以下步骤：
<...【专利技术属性】
技术研发人员：尤瓦拉詹·拉查玛南，庄晨亮，巴拉苏布拉马尼亚姆·沙姆穆加萨米，
申请(专利权)人：安世有限公司，
类型：发明
国别省市：
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