本发明专利技术涉及导电薄膜技术领域，且公开了一种柔性导电阻隔薄膜及其制备方法与应用。制备方法包括：将聚对苯二甲酸乙二酯膜等离子技术处理，得到基膜，在基膜的一侧附着聚苯胺，得到中间层材料；将中间层材料未附有聚苯胺的一侧通过原子层沉积法和喷墨打印制备阻隔层，得到阻隔层/中间层复合材料；将外层材料与阻隔层/中间层复合材料复合，得到外层/阻隔层/中间层复合材料；将改性银纳米线网络、胶层材料、外层/阻隔层/中间层复合材料复合，得到柔性导电阻隔薄膜。该柔性导电阻隔薄膜可以应用于电子产品柔性封装。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及导电薄膜，具体涉及一种柔性导电阻隔薄膜及其制备方法与应用。
技术介绍
1、自然界中的水气、氧气、二氧化碳等物质会破坏高精密电子组件部位，导致电子组件功能失效。现有技术中是通过使用高阻隔的阻隔膜作为封装保护层，保护高精密电子组件，延长组件的使用寿命。
2、现有技术中高阻隔膜的制备多使用蒸镀、化学气相沉积、磁控溅射等方式进行的。蒸镀方式制备阻隔膜的膜层致密性较差，导致阻隔性能较低，达不到高阻水性能要求。磁控溅射方式制备的膜层致密性低于化学气相沉积，且镀膜前需在基材上进行平坦层。化学气相沉积虽可制作高致密性薄膜，但耐弯性较差，且成本较高，不适用于制备具有柔性的阻隔膜。为提升高精密电子组件封装寿命及增加应用在电子产品的可行性，需要开发阻隔性能更好，柔韧性更佳、具有导电性且整体厚度更薄的阻隔膜。
3、现有技术中以铟锡氧化物(ito)、掺氟氧化锡(fto)为代表的传统透明导电氧化物薄膜，其固有的力学脆性、低温沉积时较差的导电性、不具备柔韧性能、铟资源面临短缺等限制，已难以满足柔性电子器件的发展需求。
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【技术保护点】
1.一种柔性导电阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种柔性导电阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中：低温氩/氧混合等离子技术处理的条件为：等离子体放电功率为100-150W，处理时间为400-600s；基膜的厚度为40μm，基膜与苯胺的质量比为1:10；反应条件为：在室温下反应6-8h；中间层材料的厚度为45-50μm。
3.根据权利要求1所述的一种柔性导电阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中：原子层沉积法所用的前驱体材料为室温下的三甲基铝、四氯化钛和蒸馏水，薄膜沉积的温度为80℃，腔体气压为43Pa，...
【技术特征摘要】
1.一种柔性导电阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种柔性导电阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）中：低温氩/氧混合等离子技术处理的条件为：等离子体放电功率为100-150w，处理时间为400-600s；基膜的厚度为40μm，基膜与苯胺的质量比为1:10；反应条件为：在室温下反应6-8h；中间层材料的厚度为45-50μm。
3.根据权利要求1所述的一种柔性导电阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（2）中：原子层沉积法所用的前驱体材料为室温下的三甲基铝、四氯化钛和蒸馏水，薄膜沉积的温度为80℃，腔体气压为43pa，载气为氮气，载气量为300ml/min，单次沉积形成的三氧化铝薄膜与单次沉积形成的二氧化钛薄膜的厚度均为5nm，交替沉积的次数为6次；光固化条件为：在氮气氛围中、uv-led紫外光照中光固化30s；单次喷墨打印、光固化后形成的聚甲基丙烯酸甲酯薄膜的厚度为1μm。
4.根据权利要求1所述的一种柔性导电阻隔薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）中的改性环氧树脂包括以下步骤制备而成：
【专利技术属性】
技术研发人员：邹云，辜勇，
申请(专利权)人：江苏思尔德科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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