晶体生长坩埚以及晶体生长设备制造技术

本申请提供一种晶体生长坩埚以及晶体生长设备，涉及半导体材料制备技术领域。其中，晶体生长坩埚，包括：容纳部件和生长组件；容纳部件具有容纳空间，容纳空间用于容纳原料；生长组件具有生长空间和隔热层，生长组件与容纳部件连接，使容纳空间位于生长空间沿预设方向的一侧，并与生长空间联通，生长空间内部设置有正对容纳空间的籽晶台，隔热层位于生长空间的周侧，并环绕预设方向。本申请技术方案可以降低晶体生长坩埚生长空间中的径向温度梯度，能够解决由于径向温度梯度较大而无法保持较高的良品率制备出高质量的碳化硅晶体的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体材料制备，尤其涉及一种晶体生长坩埚。

技术介绍

1、目前，第一代单质半导体材料和第二代化合物半导体材料由于自身材料性质限制，以它们为衬底制备的电子器件已经趋近于其性能极限。但仍然满足不了人们在高温、高频、高功率以及抗辐射等应用场景下电子器件的使用需要。在此情况下，第三代半导体材料碳化硅开始逐渐受到人们的关注。

2、在碳化硅产业链中，碳化硅晶体制备是成本占比最大、技术门槛最高的环节。碳化硅晶体的制备方法主要包括三种：物理气相传输法(pvt)、高温化学气相沉积法(htcvd)和顶部籽晶溶液生长法(tssg)。其中，pvt法由于具有制备设备简单，工艺容易控制，缺陷较少，运行成本低等优点，该方法已经成为工业化生产碳化硅晶体的最主要方法。物理气相传输法的基本原理为：在2200℃的高温条件下使碳化硅升华分解成含碳、含硅以及包含碳和硅化合物气体，然后，在优化的生长坩埚中，这些高温气相物质会在温度梯度的作用下由高温区向低温区运动；最后，在适宜的温度梯度和压力环境作用下在碳化硅籽晶表面结晶，并促使碳化硅籽晶长大，从而制备得到碳化硅单晶。

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶体生长坩埚(1)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，所述生长组件(12)包括：

4.根据权利要求2或3所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，所述生长组件(12)还包括：

5.根据权利要求4所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，

6.根据权利要求4所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，

7.根据权利要求5或6所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，

8.根据权利要求7所述的晶体生长坩埚(1)，...

【技术特征摘要】

1.一种晶体生长坩埚(1)，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求2所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，所述生长组件(12)包括：

4.根据权利要求2或3所述的晶体生长坩埚(1)，其特征在于，所述生长组件(12)还包括：

5.根据权利要求4所述的晶体生长坩埚(1)，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟虎，孙金梅，史永贵，
申请(专利权)人：北京旭灿半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：