一种基于TCAM的超高维匹配程度分段计算方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基于TCAM的超高维匹配程度分段计算方法和装置，包括：将超高维度数据分段存储在三态内容可寻址存储器中，按照相同的分段规则对待检测数据进行分段处理；每个分段相互独立；分别计算每个分段的m根匹配线上的电压值，将其作为该分段的待检测数据与相应分段的存储数据的匹配结果；通过传输门依次将每根匹配线的所有分段的匹配线电压进行连接，得到每根匹配线的所有分段电压的平均值，将其作为总的待检测数据与存储数据的匹配结果；采用多级比较器比较每根匹配线对应的匹配结果，输出匹配程度最高的匹配线的地址。本发明专利技术能够在极短时间内完成超高维度数据匹配程度计算且功耗较低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及非易失性存储器电路设计，具体涉及一种基于tcam的超高维匹配程度分段计算方法和装置。

技术介绍

1、超维计算(hyperdimensional computing，以下简称hdc)是一种新兴的计算框架。它计算成本和对硬件性能要求极低，在分类和学习的应用中显示出了巨大的前景。三态内容可寻址存储器(ternary content addressable memory,以下简称tcam)是一种专用存储器，它能够快速的查询所存内容，使其成为hdc中超维关联内存(hyperdimensionalassociative memory，以下简称ham)的理想选择。

2、与此同时，研究人员提出了磁性随机存储器(magnetic random access memory，mram)、相变随机存储器(phase change random access memory，pcram)和电阻随机存储器(rram，resistive random access memory)等依靠阻值变化来存储数据的新兴非易失存储器件依据其断电不丢失数据以及高密度的特性也被本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于TCAM的超高维匹配程度分段计算方法，其特征在于，所述超高维匹配程度分段计算方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于TCAM的超高维匹配程度分段计算方法，其特征在于，所述三态内容可寻址存储器包括第一NMOS晶体管N1、第一阻变存储器、第二阻变存储器、第一PMOS晶体管WL、第二NMOS晶体管SL和第三NMOS晶体管SLB；

3.一种基于TCAM的超高维匹配程度分段计算装置，其特征在于，所述超高维匹配程度分段计算装置包括多个分段单元、传输单元和比较器；

4.根据权利要求3所述的基于TCAM的超高维匹配程度分段计算装置，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种基于tcam的超高维匹配程度分段计算方法，其特征在于，所述超高维匹配程度分段计算方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的基于tcam的超高维匹配程度分段计算方法，其特征在于，所述三态内容可寻址存储器包括第一nmos晶体管n1、第一阻变存储器、第二阻变存储器、第一pmos晶体管wl、第二nmos晶体管sl和第三nmos晶体管slb；

3.一种基于tcam的超高维匹配程度分段计算装置，其特征在于，所述超高维匹配程度分段计算装置包括多个分段单元、传输单元和比较器；

4.根据权利要求3所述的基于tcam的超高维匹配程度分段计算装置，其特征在于，所述三态内容可寻址存储器包括第一nmos晶体管n1、第一阻变存储器、第二阻变存储器、第一pmos晶体管wl、第二nmos晶体管sl和第三nmos晶体管slb；

5.根据权利要求3所述的基于tcam的超高维匹配程度分段计算装置，其特征在于，所述传输门包括相互并联的第二pmos晶体管gl和第四nmos晶体管glb，两个晶体管的源极相连，漏极相连，形成传输门。

6.根据权利要求3所述的基于tca...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘伟强，张迪迪，吴比，
申请(专利权)人：南京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：