【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏发电领域，尤其涉及一种双面砷化镓太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
1、砷化镓太阳能电池是以砷化镓(gaas)为基体材料的太阳能电池，其发展已有40余年的历史。gaas材料的eg＝1.43ev，理论上估算，gaas单结太阳能电池的效率可达27％，从上世纪80年代后，gaas太阳能电池技术经历了从lpe到mocvd，从同质外延到异质外延，从单结到多结叠层结构的几个发展阶段，其发展速度日益加快，效率也不断提高。
2、与硅基太阳能电池相比,砷化镓太阳能电池具有更高的光电转换效率、更强的抗辐照能力和更好的耐高温性能。但由于其成本高，在民用领域难以推广，所以设计新材料、新结构对于低成本且保证光电转化效率的砷化镓太阳能电池至关重要。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是针对现有技术的缺陷，提供一种双面砷化镓太阳能电池及制备方法，使用高掺多晶或微晶碳化硅作为电池接触层，利用其宽带隙、高电导、高折射率的性能作为两侧透明导电电极，从而实现两侧均透光，增大了表面透光面积，提高光电...
【技术保护点】
1.一种双面砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述双面砷化镓太阳能电池结构从下到上依次为背面金属电极、第一碳化硅接触层、砷化镓太阳能电池本体、第二碳化硅接触层和正面金属电极，在电池工作时，太阳光照射在电池表面，正面透过所述第二碳化硅接触层照在砷化镓太阳能电池本体上产生电流，漫反射的太阳光在背面透过第一碳化硅接触层照在砷化镓太阳能电池本体上产生电流，通过第一碳化硅接触层和第二碳化硅接触层将电流收集起来，再经过背面金属电极和正面金属电极将电流导出。
2.根据权利要求1所述的双面砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述正面金属电极为Ti/Al、Ti、Al、Ag、Cu中的一...
【技术特征摘要】
1.一种双面砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述双面砷化镓太阳能电池结构从下到上依次为背面金属电极、第一碳化硅接触层、砷化镓太阳能电池本体、第二碳化硅接触层和正面金属电极，在电池工作时，太阳光照射在电池表面，正面透过所述第二碳化硅接触层照在砷化镓太阳能电池本体上产生电流，漫反射的太阳光在背面透过第一碳化硅接触层照在砷化镓太阳能电池本体上产生电流，通过第一碳化硅接触层和第二碳化硅接触层将电流收集起来，再经过背面金属电极和正面金属电极将电流导出。
2.根据权利要求1所述的双面砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述正面金属电极为ti/al、ti、al、ag、cu中的一种或多种，所述背面金属电极为ni/cr、ni、ti、al、ag、cu中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述的双面砷化镓太阳能电池，其特征在于，所述第一碳化硅接触层和第二碳化硅接触层均为掺杂的多晶或微晶碳化硅，厚度均为1微米～30微米，掺杂浓度范围为...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈弘，李云，张宇超，杜春花，
申请(专利权)人：长三角物理研究中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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