【技术实现步骤摘要】
本说明书实施例主要涉及覆铜陶瓷基板,具体为一种覆铜陶瓷基板的制作方法。
技术介绍
1、覆铜陶瓷基板,是使用dcb(direct copper bond)技术将铜箔直接烧结在陶瓷表面而制成的一种电子基础材料。覆铜陶瓷基板具有极好的热循环性、形状稳定、刚性好、导热率高、可靠性高,覆铜面可以刻蚀出各种图形的特点,可用于半导体致冷器、电子加热器,大功率电力半导体模块等多项工业电子领域。
2、如图1所示,现有的覆铜陶瓷基板大都包括一陶瓷基板和覆盖在陶瓷基板顶面的铜箔层以及覆盖在陶瓷基板底面的铜箔层,该结构的覆铜陶瓷基板散热效果较差。特别是对于散热要求较高的大功率模块,该结构的覆铜陶瓷基板可能达不到散热要求。
3、为此,现有技术有提出在底面的铜箔层中开设微通道来提高覆铜陶瓷基板的散热效果,但是,该结构的覆铜陶瓷基板会使得翘曲度值大大增加。
技术实现思路
1、本说明书实施例针对现有技术存在的问题,提出了一种覆铜陶瓷基板的制作方法,使得制作得到的覆铜陶瓷基板不仅能够有效提高散热效果
...【技术保护点】
1.一种覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述S12具体包括:通过精雕机在所述陶瓷基板的底面上雕刻出第一通槽;
3.根据权利要求2所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述S13具体包括:通过精雕机在所述陶瓷基板的顶面上雕刻出第二通槽;
4.根据权利要求3所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述S12中获取的陶瓷基板的厚度为0.5~1mm;
5.根据权利要求4所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述第一通槽的高度为所述第一陶瓷基
...【技术特征摘要】
1.一种覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述s12具体包括:通过精雕机在所述陶瓷基板的底面上雕刻出第一通槽;
3.根据权利要求2所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述s13具体包括:通过精雕机在所述陶瓷基板的顶面上雕刻出第二通槽;
4.根据权利要求3所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述s12中获取的陶瓷基板的厚度为0.5~1mm;
5.根据权利要求4所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述第一通槽的高度为所述第一陶瓷基板厚度的0.7倍;所述第一通槽的宽度与所述第一陶瓷基板的厚度相同;
6.根据权利要求3所述的覆铜陶瓷基板的制作方法,其特征在于,所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄世东,王顾峰,李志豪,
申请(专利权)人:浙江德汇电子陶瓷有限公司,
类型:发明
国别省市:
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