【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种存储器装置，尤其涉及一种对低温数据保存能力(lowtemperature date retention，ltdr)进行测试的半导体存储器装置及其所采用的测试方法。
技术介绍
1、低温数据保存能力的性能(ltdr performance)是对或非型闪存(nor flashmemory)进行芯片测试时的重要可靠度项目。然而，低温数据保存能力具有时间的强相依性，目前实务上需要依照规格需求而将存储器芯片闲置一段很长的等待时间(例如三百小时以上)来进行观察，以测试是否通过规格要求。由于研发时间与产品周期的迟滞与延宕，故而提高研发成本。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体存储器装置及其测试方法，能够在较短的时间内快速地测试出存储器芯片是否能够通过低温数据保存能力的规格要求。
2、本专利技术的半导体存储器装置包括存储器芯片以及存储器控制器。存储器芯片包括主阵列以及迷你阵列。存储器控制器耦接存储器芯片，经配置以检测主阵列中与尾端位对应的目标存储单元的初始测试电压。其中...
【技术保护点】
1.一种半导体存储器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，在将所述存储器芯片闲置所述第二时间后的所述比较电压小于在将所述存储器芯片闲置所述第一时间后的所述比较电压。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述存储器控制器包括：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述存储器控制器包括：
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述验证控制器包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述存储器控制器包括
7....
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，在将所述存储器芯片闲置所述第二时间后的所述比较电压小于在将所述存储器芯片闲置所述第一时间后的所述比较电压。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述存储器控制器包括：
4.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述存储器控制器包括：
5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述验证控制器包括：
6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其特征在于，所述存储器控制器包括：
7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其特征在于，当所述第一测试电压大于当下的所述比较电压时，持续将所述存储器芯片进行闲置，
8.一种半导体存储器装置的测试方法，所述半导体存储器...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖绍憬，吴健民，谢光智，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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