一种ARF光刻胶用光致产酸剂磺酸盐的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种ARF光刻胶用光致产酸剂磺酸盐的制备方法，属于有机合成技术领域。本发明专利技术以2‑溴‑2,2‑二氟乙酸酯作为反应原料，成本低廉；本发明专利技术通过改进现有的亚磺化工序，具体的，本发明专利技术以三苯基甲基硫醇作为原料引入‑S‑基团，经后续过氧化氢的氧化，获得稳定性高的磺酸盐，其反应易于监控；且本发明专利技术先引入‑S‑基团再引入酯基，在后续的脱保护、酰化反应中不需要在碱性环境下加热，能够避免酯基的水解反应。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机合成，特别涉及一种arf光刻胶用光致产酸剂磺酸盐的制备方法。

技术介绍

1、arf光刻胶是一种特殊的树脂材料，能够对光或其他形式的辐射产生敏感反应。在光刻过程中，光刻胶受到特定波长的光线或电子束的照射，其性质会发生显著改变，如由可溶变为不可溶或反之。这种性质的改变使得光刻胶能够用来制造微米或纳米级的图案，在制造集成电路或其他微纳米结构中起到至关重要的作用。

2、而光致产酸剂是光刻胶中的一个关键组成部分。当光致产酸剂受到光照时，会分解产生酸。在曝光后烘烤(peb)过程中，这些酸作为催化剂，促使光刻胶中的聚合物发生化学变化，如使聚合物上悬挂的酸不稳定基团脱落，从而改变其溶解性。通过这种方式，光刻胶能够在曝光区域和非曝光区域之间形成明显的溶解性差异，进而实现图案的精确转移。

3、而伴随着图案规则的微细化极速发展，在该背景下存在曝光光源的短波长化的现象，例如：通过从水银灯的i射线(365纳米)向氟化氪受激准分子激光(248纳米)进行的短波长化，可以大量生产64m-bit(加工尺寸为0.25微米以下)的动态随机存取存储器。为本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ARF光刻胶用光致产酸剂磺酸盐的制备方法，所述光致产酸剂磺酸盐具有式I所示结构：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述R1为1-金刚烷基、碳原子数6～20的取代或非取代的芳基、碳原子数1～7的取代或非取代的烷基。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述2-溴-2,2-二氟乙酸酯为2-溴-2,2-二氟乙酸甲酯或2-溴-2,2-二氟乙酸乙酯；

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将三苯基甲基硫醇替换为叔丁基硫醇。

5.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、...

【技术特征摘要】

1.一种arf光刻胶用光致产酸剂磺酸盐的制备方法，所述光致产酸剂磺酸盐具有式i所示结构：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述r1为1-金刚烷基、碳原子数6～20的取代或非取代的芳基、碳原子数1～7的取代或非取代的烷基。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述2-溴-2,2-二氟乙酸酯为2-溴-2,2-二氟乙酸甲酯或2-溴-2,2-二氟乙酸乙酯；

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，将三苯基甲基硫醇替换为叔丁基硫醇。

5.根据权利要求1或3所述的制备方法，其特征在于，所述碱为氢氧化锂、氢氧化钠、氢氧化钾、叔丁醇钠、叔丁醇钾、碳酸钾、碳酸钠、碳酸铯、氨水、氨的甲醇溶液、碳酸氢铵、硫代硫酸钠、碳酸氢钠、三乙胺、二异丙基乙胺、吡啶、正丁基锂、异丁基锂、叔丁基锂、二异丙基氨基锂、双三甲基...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：常州朗芯新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：