杂元素掺杂多孔氮化硅材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种杂元素掺杂多孔氮化硅材料及其制备方法和应用。所述制备方法包括如下步骤：1)将含磷前驱体、含硫前驱体、含硼前驱体、氮化硅与溶剂充分混合，搅拌均匀得到混合物；2)将所得的混合物静置，得到凝胶状物质；3)对凝胶状物质进行微波加热烘干处理；4)对烘干处理后的混合物用焦耳加热仪进行高温处理；5)将高温处理后的混合物冷却至室温，再经洗涤、烘干、研磨得到杂元素掺杂多孔氮化硅材料。本发明专利技术提供的制备方法增加了氮化硅的比表面积和表面活性位点。本发明专利技术提供了所述的杂元素掺杂多孔氮化硅材料作为催化剂在乙炔选择性加氢反应中的应用，具有高催化活性和高稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种氮化硅材料及其制备方法和应用。

技术介绍

1、氮化硅（si3n4）属六方晶系，可分为α-si3n4和β-si3n4两种晶型。si3n4具有良好的机械强度和导热性能、化学性质稳定、热膨胀系数低、硬度高及相对惰性等优点，在高温材料领域具有抗氧化、耐腐蚀以抗热震性等优越的性能，其成本相对较低，分离效率（特别是对于0.1至100μm范围内的颗粒）高且具有生物相容性，越来越受到人们的重视。si3n4广泛用于陶瓷领域，制造高性能的陶瓷制品；在电子工业中，可作为散热材料和绝缘部件；在机械制造领域，常用于耐磨部件；在冶金行业，还可用作耐火材料。除此之外，si3n4的这些优良特性使其在国防军工、半导体导热基板、生物医疗以及新技术等领域有着极高的应用价值。

2、商业氮化硅通常由低温(1200℃) α-si3n4或高温(1500℃) β-si3n4组成，通过研磨体陶瓷生产，产生低比表面积(通常小于10 m2 /g)的粉末，这可能限制催化剂的负载量和活性位点的数量。此外，纯si3n4具有表面性质有限、与催化剂的相互作用较弱等问题，使得纯氮化硅在催化反本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种杂元素掺杂多孔氮化硅材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)所述的含磷前驱体选自羟基亚乙基二膦酸、(2-羟基乙基)苯膦酸、四苯基氯化膦、二氯磷酸乙酯、焦磷酸、甲基二苯基氧膦、偏磷酸、三苯基膦硫以及甲基三苯基氯化磷中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)所述的含硫前驱体选自二苯基亚砜、二苯基硫脲、二硫代苯甲酸、2-噻吩甲酸、二乙基二硫代氨基甲酸钠、二苯基二硫、苯并噻唑和2-氨基苯并噻唑中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤...

【技术特征摘要】

1.一种杂元素掺杂多孔氮化硅材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)所述的含磷前驱体选自羟基亚乙基二膦酸、(2-羟基乙基)苯膦酸、四苯基氯化膦、二氯磷酸乙酯、焦磷酸、甲基二苯基氧膦、偏磷酸、三苯基膦硫以及甲基三苯基氯化磷中的一种或多种。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)所述的含硫前驱体选自二苯基亚砜、二苯基硫脲、二硫代苯甲酸、2-噻吩甲酸、二乙基二硫代氨基甲酸钠、二苯基二硫、苯并噻唑和2-氨基苯并噻唑中的一种或多种。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤1)所述的含硼前驱体选自硼酸、硼酸三甲酯、硼酸三乙酯、苯硼酸、对羟基苯硼酸、对甲基苯硼酸和氧化硼中的一种或多种。

5.如权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李小年，沈弋，常仁芹，张鑫，岳玉学，蔡译慧，黄开鑫，张宇晨，赵佳，
申请(专利权)人：浙江工业大学，
类型：发明
国别省市：