一种高效背结电池结构及其制备方法技术

技术编号:42306015 阅读:28 留言:0更新日期:2024-08-14 15:52
本发明专利技术涉及光伏技术领域,具体为一种高效背结电池结构及其制备方法。电池本体从正面至背面依次包括正面金属栅线、正面氮化硅减反膜层、N型硅片基底、背面隧穿氧化层、背面氧化铝钝化膜层、背面氮化硅减反膜层和背面金属栅线。正面金属栅线与正面氮化硅减反膜的两壁之间设有掺磷多晶硅层。背面隧穿氧化层和背面氧化铝钝化膜层之间设有掺硼多晶硅层。正面金属栅线与掺磷多晶硅层钝化接触,且背面金属栅线与掺硼多晶硅层钝化接触。本发明专利技术降低了金属与半导体接触带来的复合损失,正面形成Poly‑finger结构,提高电池片转化效率;减少了一道高温硼扩散程序,降低了额外热损伤、减少了工艺制程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏,具体为一种高效背结电池结构及其制备方法


技术介绍

1、随着topcon电池产能不断增加,从无se的topcon1.0到se工艺加持的topcon2.0,技术路线不断升级,效率也从24.5%上升到26.0%,但这距离topcon电池的理论极限28.7%仍有一定距离,通过对效率损失分析,发现topcon电池的主要损失来源于正面的接触复合损失,这是由于topcon电池的正面接触结构为金属-半导体接触,正面银栅线与硅片基体直接接触,在接触面处生成一个较宽的电荷耗尽区,带来了巨大的复合损失,因此越来越多的厂家把目光放在了如何降低正面复合损失上,poly-finger结构被认为是未来topcon电池下一步的技术升级路线。

2、例如,公布号为cn117117038a的中国专利公开了一种topcon电池结构及其制备方法,记载了在n型电池片正面采用图形化掩膜、碱刻蚀阻挡层、配合碱刻蚀的方法在正面形成图案化的poly-finger结构的topcon结构。又例如另外一篇,公布号为cn114695573a的中国专利公开了一种钝化接触栅线的太阳能电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高效背结电池结构,包括电池本体(1),所述电池本体(1)从正面至背面依次包括正面金属栅线(2)、正面氮化硅减反膜层(5)、N型硅片基底(6)、背面隧穿氧化层(7)、背面氧化铝钝化膜层(9)、背面氮化硅减反膜层(10)和背面金属栅线(11),所述正面氮化硅减反膜层(5)上开有若干槽一适于安装所述正面金属栅线(2),所述正面金属栅线(2)与所述正面氮化硅减反膜的槽一两壁之间设有掺磷多晶硅层(3),及所述正面金属栅线(2)与所述正面氮化硅减反膜的槽一底部之间设有正面隧穿氧化层(4),其特征在于,所述电池本体(1)的背面隧穿氧化层(7)和所述背面氧化铝钝化膜层(9)之间还设有掺硼多晶硅层...

【技术特征摘要】

1.一种高效背结电池结构,包括电池本体(1),所述电池本体(1)从正面至背面依次包括正面金属栅线(2)、正面氮化硅减反膜层(5)、n型硅片基底(6)、背面隧穿氧化层(7)、背面氧化铝钝化膜层(9)、背面氮化硅减反膜层(10)和背面金属栅线(11),所述正面氮化硅减反膜层(5)上开有若干槽一适于安装所述正面金属栅线(2),所述正面金属栅线(2)与所述正面氮化硅减反膜的槽一两壁之间设有掺磷多晶硅层(3),及所述正面金属栅线(2)与所述正面氮化硅减反膜的槽一底部之间设有正面隧穿氧化层(4),其特征在于,所述电池本体(1)的背面隧穿氧化层(7)和所述背面氧化铝钝化膜层(9)之间还设有掺硼多晶硅层(8);所述电池本体(1)的正面金属栅线(2)适于与所述掺磷多晶硅层(3)钝化接触,及所述电池本体(1)的背面金属栅线(11)适于与所述掺硼多晶硅层(8)钝化接触。

2.根据权利要求1所述的高效背结电池结构,其特征在于,所述电池本体(1)的n型硅片基底(6)的正面为poly-finger结构,所述poly-finger结构为由磷扩散形...

【专利技术属性】
技术研发人员:费宇何亮李德平武丹萍徐闯金强强
申请(专利权)人:润马光能科技金华有限公司
类型:发明
国别省市:

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