一种双叉指电极结构的薄膜体声波谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双叉指电极结构薄膜体声波谐振器及其制备方法，该体声波谐振器，包括衬底、压电层和高低相间排布的叉指电极；该衬底内部设有空腔；该压电层置于衬底上，该叉指电极置于压电层上表面；该述叉指电极包括A叉指电极和B叉指电极，B叉指电极使用的金属材料密度大于A叉指电极的密度，所述B叉指电极厚度低于A叉指电极的厚度，A叉指电极和B叉指电极相间排列。该体声波谐振器能够对杂波进行抑制，提高带宽和Q值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于射频滤波器件和mems，具体涉及一种抑制杂波的体声波谐振器及其制备方法。

技术介绍

1、横向激励的薄膜体声谐振器(laterally-excited bulk acoustic resonator,xbar)由薄压电薄膜和其上方的叉指电极组成，具有高工作频率和高机电耦合系数的显著优势，是5g、6g蜂窝网络、wi-fi 6e和wi-fi 7等新一代通信技术的理想选择。

2、xbar器件在移动通信高速发展的背景下被提出，由于中低频段资源拥挤，人们对于高频段的开发更加重视，传统射频滤波器件在高频率和大带宽方面难以两全其美，因此，市场对于能够在高频率范围内工作的大带宽射频滤波器件的需求急剧增加，xbar器件能很好满足这一需求。

3、xbar器件利用兰姆波在压电薄膜传播的反对称模式(a1模式)作为主模式，与声表面波(surface acoustic wave，saw)器件相似，都使用叉指电极(idts)来激励振动，相比于传统saw器件的工作频率难以突破3500mhz的限制，xbar拥有更高的工作频率，其工作频率可以调节压电薄膜厚本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双叉指电极结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括衬底、压电层和叉指电极；

2.根据权利要求1所述的双叉指电极结构薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的厚度为100-1000nm，所述A叉指电极的厚度为50-2000nm，所述B叉指电极的厚度为10-50nm。

3.根据权利要求1所述的双叉指电极结构薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述A叉指电极和B叉指电极的材料为铝、铂、铬、钛、钼、钨或铜，及其金属合金，所述A叉指电极的厚度为所述压电层厚度的1.0-2.0倍，所述B叉指电极的厚度为所述压电层厚度的0.05-1倍。

4.根据权利要求1所述的双叉...

【技术特征摘要】

1.一种双叉指电极结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括衬底、压电层和叉指电极；

2.根据权利要求1所述的双叉指电极结构薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电层的厚度为100-1000nm，所述a叉指电极的厚度为50-2000nm，所述b叉指电极的厚度为10-50nm。

3.根据权利要求1所述的双叉指电极结构薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述a叉指电极和b叉指电极的材料为铝、铂、铬、钛、钼、钨或铜，及其金属合金，所述a叉指电极的厚度为所述压电层厚度的1.0-2.0倍，所述b叉指电极的厚度为所述压电层厚度的0.05-1倍。

4.根据权利要求1所述的双叉指电极结构薄膜体声波谐振器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹腾波，董树荣，高峰，轩伟鹏，金浩，骆季奎，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：