【技术实现步骤摘要】
本申请涉及磁场感应装置，特别是涉及一种三轴磁传感器及其制备方法。
技术介绍
1、随着科技发展和社会的不断进步，越来越多种类的磁传感器出现在人们的日常工作和生活中。tmr(tunnel magnetoresistance effect，隧道磁阻效应)磁传感器是一种利用隧道磁阻效应的磁敏感元件，利用外磁场能够引起tmr磁阻元件的电阻变化来实现对外磁场的检测。然而，tmr磁阻元件只能进行面内磁场感应。
2、为了使得tmr磁阻元件能够检测面外磁场，传统的磁传感器通常需要在斜坡上沉积tmr磁性薄膜，再对斜坡上的tmr磁性薄膜进行刻蚀形成磁性隧道结，在斜坡上进行tmr磁性薄膜的沉积以及刻蚀，工艺复杂，存在制备良率低的缺点。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述问题，提供一种可提高制备良率的三轴磁传感器及其制备方法。
2、一种三轴磁传感器，包括：
3、基板，所述基板内置有磁场转向件，所述磁场转向件在第三方向与第一方向/第二方向之间倾斜，用于将第三方向的磁场转向，使...
【技术保护点】
1.一种三轴磁传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三轴磁传感器，其特征在于，所述磁场转向件包括依次层叠设置的种子层、镍铁层和盖层。
3.根据权利要求1所述的三轴磁传感器，其特征在于，所述基板包括依次层叠设置的衬底、倾斜结构层和介质层，所述磁场转向件设置于所述倾斜结构层的斜面，所述倾斜结构层的斜面在第三方向与第一方向/第二方向之间倾斜，所述磁性隧道结设置于所述介质层的平面上。
4.根据权利要求3所述的三轴磁传感器，其特征在于，所述倾斜结构层的斜面的倾斜角度为15度-85度。
5.根据权利要求1-4任意一项所...
【技术特征摘要】
1.一种三轴磁传感器，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的三轴磁传感器，其特征在于，所述磁场转向件包括依次层叠设置的种子层、镍铁层和盖层。
3.根据权利要求1所述的三轴磁传感器，其特征在于，所述基板包括依次层叠设置的衬底、倾斜结构层和介质层，所述磁场转向件设置于所述倾斜结构层的斜面，所述倾斜结构层的斜面在第三方向与第一方向/第二方向之间倾斜，所述磁性隧道结设置于所述介质层的平面上。
4.根据权利要求3所述的三轴磁传感器，其特征在于，所述倾斜结构层的斜面的倾斜角度为15度-85度。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的三轴磁传感器，其特征在于，所述磁场转向件包括镜像对称设置的第一软磁体和第二软磁体；位于所述第三磁场敏感区的磁性隧道结中，包括靠近所述第一软磁体设置的若干个第一磁性隧道结，和靠近所述第二软磁体设置的若干个第二磁性隧道结，所述第一磁性隧道结和所述第二磁性隧道结一一镜像对称设置；
6.根据权利要求5所述的三轴磁传感器，其特征在于，所述第一磁阻单元包括位于所述第一软磁体外侧的若干个所述第一磁性隧道结串联和...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭慧芳，徐兵兵，韩若枫，丁菊仁，
申请(专利权)人：上海矽睿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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