改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法技术

本发明专利技术提供改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，涉及晶棒切片技术领域，先用X光机照射<111>晶向晶锭在X方向的晶向偏离度，根据X方向的测量值计算得到底轴转角，用X光机照射<111>晶向晶锭在Y方向的晶向偏离度，得到Y方向的测量值；将<111>晶向晶锭的旋转角固定为预定角度，根据旋转角、底轴转角、Y方向的测量值将<111>晶向晶锭粘接在可调式粘接台上，通过在可调式粘接台进行粘接，防止在粘接过程，因粘接剂未干导致的已调整好偏离角度的<111>晶向晶锭发生移动，使得粘接过程中晶向偏离度不会发生改变，在切割过程中，钢线在预定的切入点切入，钢线受阻力小，避免钢线受影响出现晃动，使得钢线切入方向不会发生偏离，切割精度提高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于晶棒切割方法，具体涉及一种改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法。

技术介绍

1、目前半导体级单晶硅不断向大尺寸发展，但是小尺寸（即4/5/6英寸）仍存在较大的市场，在小尺寸晶锭切割过程中，由于<111>晶向的晶棒特殊的晶体结构，其面间距大，晶面上的原子个密度大，沿参考面的10°~50°方向作为切入点，按照机加工位错运动的规律，原子密度大，能量越大，位错运动的能量也会增加，可以阻碍位错运动，切割时钢线阻力较大，钢线受影响出现晃动，可能会造成切入方向发生偏离，导致最终硅片的偏离角度出现异常。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供一种改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法。

2、本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：

3、一种改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，包括以下步骤：

4、s1：用x光机照射<111>晶向晶锭在x方向的晶向偏离度，根据x方向的测量值计算得到底本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于：所述S2中，所述预定角度为0~10°。

3.如权利要求1或2所述的改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于：所述S2中，所述可调式粘接台包括：防偏离粘接组件，所述防偏离粘接组件包括调节树脂板，所述调节树脂板的底面水平，所述调节树脂板的上表面为弧面，所述调节树脂板的上表面具有预定的倾斜度，所述<111>晶向晶锭的轴向与所述调节树脂板平行，...

【技术特征摘要】

1.一种改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于：包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于：所述s2中，所述预定角度为0~10°。

3.如权利要求1或2所述的改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于：所述s2中，所述可调式粘接台包括：防偏离粘接组件，所述防偏离粘接组件包括调节树脂板，所述调节树脂板的底面水平，所述调节树脂板的上表面为弧面，所述调节树脂板的上表面具有预定的倾斜度，所述<111>晶向晶锭的轴向与所述调节树脂板平行，所述<111>晶向晶锭与调节树脂板的上表面粘接；

4.如权利要求3所述的改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于：所述预定的倾斜度α，其中0<α<5°。

5.如权利要求3所述的改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于：所述防偏离粘接组件包括工件板，所述工件板根据得到的底轴转角进行摆动，所述工件板与所述调节树脂板相互平行，所述工件板位于所述调节树脂板的下方，所述工件板与所述调节树脂板的底面粘接。

6.如权利要求3所述的改善<111>晶棒晶向偏离度切割精度的切割方法，其特征在于，所述防偏离粘接组件还包括固定靠板，所述固定靠板为平面板，所述固定靠板为两个，两个固定靠板相对设置，两个固定靠板位于所述<111>晶向晶锭的周向两侧，所述固定靠板与所述调节树脂板的底面垂直，所述固定靠板与所述<111>晶向晶锭位于同一水平面上，所述固定靠板用于将所述<111>晶向晶锭水平固定，防止水平移动。

7.如权利要求6任意一项所述的改善&l...

【专利技术属性】
技术研发人员：程博，芮阳，赵延祥，王黎光，白玉，史小峰，张民，伊冉，王忠保，赵娜，白园，李俊丽，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：