一种TOPCon太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种TOPCon太阳能电池及其制备方法，属于TOPCon电池领域，采用LPCVD工艺在N型硅片背面制备隧穿氧化层和多晶硅层，并在多晶硅层上沉积一层氧化层；利用激光轰击对背面金属区域表面的氧化层进行开槽处理，裸漏出拟重掺区域；进行背面磷扩散处理，利用表面氧化层阻挡，在背面金属区和非金属区形成高低浓度掺杂区域；利用RCA对氧化层进行清洗。本发明专利技术的有益效果是：在掺杂多晶硅层上增加一层氧化层，并激光开槽和磷扩散，在背面金属区和非金属区形成高低浓度掺杂区域，有效改善了背面金属接触区域接触，降低非金属区域表面复合，从而提升FF和Uoc，最终提升电池片效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及topcon电池领域，具体而言，涉及一种topcon太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、近年来，随着perc电池量产效率已到达理论极限，新一代量产电池n型topcon效率远超perc逐渐取代其成为市场主流。在n型topcon电池量产过程中，随着新技术的不断开发与叠加，在现有正面选择性发射极叠加激光诱导烧结技术的基础下，n型topcon电池量产效率也进入到了当下的瓶颈阶段，为实现更高的电池片效率转换，提高产品市场竞争力，背面选择性发射极技术应运而生。

2、目前行业内多采用poly finger结构以完成背面选择性发射极结构制备，主要方法包括光刻法和激光法等，这些方法均是采用直接或间接方法去除非金属接触区域外的n+poly层，形成poly finger结构以满足背面金属接触和表面复合的优化。而其中光刻法成本过高，激光法耗时较长且损伤较大，两者量产电池片条件均较苛刻。

3、有鉴于此，本专利技术人针对这一需求展开深入研究，遂有本案产生。

技术实现思路

1、为解决现有技术中背面本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤一中，采用LPCVD工艺在多晶硅层上沉积氧化层，氧化层沉积时间为1000-1500s，温度为650-750℃，压力为200000-300000mtorr，O2流量为2000-3000sccm。

3.根据权利要求1所述的一种TOPCon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤一中，采用LPCVD工艺在多晶硅层上沉积氧化层，氧化层沉积时间为1000-1500s，温度为650-750℃，压力为200000-300000mtor...

【技术特征摘要】

1.一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤一中，采用lpcvd工艺在多晶硅层上沉积氧化层，氧化层沉积时间为1000-1500s，温度为650-750℃，压力为200000-300000mtorr，o2流量为2000-3000sccm。

3.根据权利要求1所述的一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤一中，采用lpcvd工艺在多晶硅层上沉积氧化层，氧化层沉积时间为1000-1500s，温度为650-750℃，压力为200000-300000mtorr，o2流量为2000-3000sccm。

4.根据权利要求1所述的一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤一中，隧穿氧化层沉积时间为800-1200s，温度为550-650℃，压力为700000-800000mtorr，o2流量为30000-40000sccm，厚度为1-2nm；

5.根据权利要求1所述的一种topcon太阳能电池的制备方法，其特征在于，步骤二中，激光轰击时，激光器功率为100-300w，激光波长为400-550nm，频率为30-50khz，开槽宽度为80-...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁田力，郭世成，王方圆，葛宏豪，
申请(专利权)人：淮安捷泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：