一种高表面平整度用于晶圆加工的真空吸盘的制备方法技术

本发明专利技术公布了一种高表面平整度用于晶圆加工的真空吸盘的制备方法，该方法使用不含氯离子可水合氧化镁和茶多酚为原料，通过压滤成型和高温烧结的方式制备高表面平整度的多孔陶瓷片。制备得到的多孔陶瓷片的孔径为80～300纳米，孔隙率42％～67％表面未经打磨的平整度小于20纳米，将该多孔陶瓷片装入金属托具中，可制成高表面平整度的真空吸盘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于芯片加工，具体涉及一种真空吸盘的制备方法。

技术介绍

1、在半导体领域中，真空吸盘是一种必须的工具，用于夹持和定位晶圆，以便进行加工或检测。真空吸盘用于半导体制造中的各个阶段，包括切割、清洗、涂覆、曝光、检查和测试等工序。真空吸盘的主要原理是通过在夹持区域内制造真空来吸附和固定工件，确保其稳定和精准的定位，从而保证加工过程的精度和可靠性。

2、传统的真空吸盘的核心部件是由氧化铝陶瓷(纯度为99.5％)制造，以防止重金属污染。由于夹具顶部由多孔氧化铝陶瓷制成，氧化铝多孔陶瓷的孔径为2-20微米，由于孔径较大，灰尘可以轻易进入这些孔道，并降低夹持平整度(a new vacuum pin chuck for arflaser lithography，microelectronic engineering 61–62(2002)113–121)。

3、随着半导体领域的技术进步，要求在30毫米方形区域内处理晶圆的夹具的表面粗糙度必须小于30纳米。同时，要求多孔真空吸盘应具有相对较低的电阻率，以避免产生静电。现有技术制备的真空吸盘本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高表面平整度用于晶圆加工的真空吸盘的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：第一步，取100克水，并加入茶多酚进行溶解，并保持在0～10℃的低温状态；第二步，在上述溶液中加入温度10℃以下，100～200克不含氯离子可水合氧化镁，搅拌均匀形成浆料；第三步，在15℃～30℃温度条件下，30分钟内，将上述陶瓷浆料在模具中压制成片；第四步，将压制的陶瓷片置于水中静置，使继续完成水合反应；第五步，对水合完成后的陶瓷片进行烘干，并在1200℃～1600℃的高温下进行热处理，从而得到高表面平整度的多孔陶瓷片；制备得到的多孔陶瓷片的孔径为80～300纳米，孔隙率42％～67％表面未经打磨的平整度小...

【技术特征摘要】

1.一种高表面平整度用于晶圆加工的真空吸盘的制备方法，其特征在于：包括下述步骤：第一步，取100克水，并加入茶多酚进行溶解，并保持在0～10℃的低温状态；第二步，在上述溶液中加入温度10℃以下，100～200克不含氯离子可水合氧化镁，搅拌均匀形成浆料；第三步，在15℃～30℃温度条件下，30分钟内，将上述陶瓷浆料在模具中压制成片；第四步，将压制的陶瓷片置于水中静置，使继续完成水合反应；第五步，对水合完成后的陶瓷片进行烘干，并在1200℃～1600℃的高温下进行热处理，从而得到高表面平整度的多孔陶瓷片；制备得到的多孔陶瓷片的孔径为80～300纳米，孔隙率42％～67％表面未经打磨的平整度小于20纳米；最后，将该多孔陶瓷片...

【专利技术属性】
技术研发人员：王一帆，邱国锋，潘臻豪，王希宇，罗正杰，林艳娜，
申请(专利权)人：爱科美材料科技南通有限公司，
类型：发明
国别省市：