一种ITO蚀刻液制造技术

本发明专利技术公开了一种ITO蚀刻液，属于蚀刻液技术领域。一种ITO蚀刻液，由以下质量分数的原料构成：8～18%无机酸、1～5%钾盐、0.2～0.8%助剂、0.05～0.5%表面活性剂、75～90%去离子水。含苯并咪唑结构和异噻唑啉酮结构的助剂能均一分散并稳定存在于蚀刻液中，进而能够有效控制蚀刻速率、侧蚀、不易腐蚀其他金属层，同时能使得蚀刻液具备优异稳定的抗菌效果，避免清洗阶段菌类对样品带来的不良影响；本发明专利技术的蚀刻液的成分稳定，无毒，废液易回收、无污染，环保，很好地解决了现有的硝酸加硫酸型ITO蚀刻液在产线应用过程中，常出现的大量且不溶于强酸的结晶的情况，且刻蚀效果优异，具有广阔的应用市场。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于蚀刻液，具体地，涉及一种ito蚀刻液。

技术介绍

1、氧化铟锡（ito）薄膜为透明导电氧化物薄膜，不仅具有高的光学透过率和低的电阻率，还具有较好的耐磨性、较高的硬度，较易被蚀刻的优点，因此，ito薄膜广泛应用于太阳能电池、平板显示等领域。电子器件的基板表面（如显示器件的阵列基板）通常含有带图案的ito膜，利于后续对电子器件进行可控通电。ito图形化，所用方法有干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀 ito薄膜具有图形转化精度高和各向异性好等优点，但所需的设备昂贵、工艺复杂、成本较高、刻蚀速率低，且容易导致光刻胶掩膜炭化、难以去除。湿法刻蚀法可通过丝网绘制复杂图形，其操作简便、刻蚀速率较快、刻蚀后续工艺简单、辅材成本低。

2、目前，cn106479505 a公开了一种用于ito导电薄膜的高精细蚀刻液及其制备方法，重量百分比组成如下：硝酸2～8%，硫酸2～12%，添加剂0.01～2%，余量水，所述添加剂为碱金属盐和有机物的混合物，有机物选用硫脲衍生物、六次甲基四胺、咪唑、苯并三氮唑和2,4,6-三羟基苯甲酸中的任意一种；本专利技术的蚀刻液以硫酸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ITO蚀刻液，其特征在于，由以下质量分数的原料构成：8～18%无机酸、1～5%钾盐、0.2～0.8%助剂、0.05～0.5%表面活性剂、75～90%去离子水；

2.根据权利要求1所述的一种ITO蚀刻液，其特征在于，步骤S1的3-氯甘油、三羟甲基氨基甲烷、三乙胺和去离子水的用量比为4.2mL:6.5g:11mL:100mL。

3.根据权利要求1所述的一种ITO蚀刻液，其特征在于，步骤S2的中间体1、异噻唑啉酮、三乙胺和DMSO的用量比为7.8g:5.2mL:9.1mL:90mL。

4.根据权利要求1所述的一种ITO蚀刻液，其特征在于，步骤S3的2...

【技术特征摘要】

1.一种ito蚀刻液，其特征在于，由以下质量分数的原料构成：8～18%无机酸、1～5%钾盐、0.2～0.8%助剂、0.05～0.5%表面活性剂、75～90%去离子水；

2.根据权利要求1所述的一种ito蚀刻液，其特征在于，步骤s1的3-氯甘油、三羟甲基氨基甲烷、三乙胺和去离子水的用量比为4.2ml:6.5g:11ml:100ml。

3.根据权利要求1所述的一种ito蚀刻液，其特征在于，步骤s2的中间体1、异噻唑啉酮、三乙胺和dmso的用量比为7.8g:5.2ml:9.1ml:90ml。

4.根据权利要求1所述的一种ito蚀刻液，其特征在于，步骤s3的2-羟甲基苯并咪唑、丁二酸酐、dmap和氯仿的用量比为9.5g:6.5g:0.68g:140ml。

5.根据权利要求1所述的一种ito蚀刻液，其特征在于，步骤s4的中间体2、中间体3、浓硫酸和dmso的用量比为12.3g:10.5g:0.5ml:200ml。

6.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王守飞，王维康，何烨谦，黄德新，龚升，
申请(专利权)人：合肥中聚和成电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：