【技术实现步骤摘要】
本技术涉及二极管,特别是涉及一种具有铝盖的整流二极管。
技术介绍
1、整流二极管是一种将交流电能转变为直流电能的半导体器件,其包含一个pn结,有正极和负极两个端子。现有技术中,整流二极管通过焊接在pn结上的引线组传输电流。当裸露在外的引线组收到外力拉扯,容易扯动pn结,从而导致pn结脱落,损坏二极管。如中国专利cn201810737044.0揭示了一种金属封装整流二极管及其制造方法,其包括管座,管芯组件,引线柱和管帽;管座和管帽分别形成第一、二电极;管芯组件焊接在管座上,引线柱的一端焊接在管芯组件上,另一端固定连接管帽;引线柱穿过管帽设置,管帽分别与管座和引线柱密封连接;引线柱由多股金属线编织形成,两端设置有用于紧固金属线的金属套。该二极管采用烧结封焊的方式制成管芯组件,当外部的引线柱受到外力拉扯时,管芯组件极易脱落,从而损坏二极管。
技术实现思路
1、有鉴于此,本技术提供了一种具有铝盖的整流二极管,以解决上述问题。
2、一种具有铝盖的整流二极管,其包括一个底座,一个设置于所述
...【技术保护点】
1.一种具有铝盖的整流二极管,其特征在于:所述具有铝盖的整流二极管包括一个底座,一个设置于所述底座上的芯片,一个设置于所述底座的一侧的陶瓷管,一个盖设于所述陶瓷管上的铝盖,以及一个焊接设置于所述芯片上的引线组,所述铝盖包括一个锥形本体,一个开设于所述锥形本体上的第二通孔,一个设置于所述锥形本体朝向所述底座的一侧的盖槽,以及至少两个设置于所述盖槽中的顶柱,所述底座上开设有一个用于容置焊接所述芯片的容置腔室,所述第二通孔的横截面积小于所述引线组正常状态下的横截面积,两个所述顶柱之间的距离小于所述芯片的长度,所述顶柱与所述芯片的长度之和对应所述陶瓷管与所述容置腔室的长度之和
...【技术特征摘要】
1.一种具有铝盖的整流二极管,其特征在于:所述具有铝盖的整流二极管包括一个底座,一个设置于所述底座上的芯片,一个设置于所述底座的一侧的陶瓷管,一个盖设于所述陶瓷管上的铝盖,以及一个焊接设置于所述芯片上的引线组,所述铝盖包括一个锥形本体,一个开设于所述锥形本体上的第二通孔,一个设置于所述锥形本体朝向所述底座的一侧的盖槽,以及至少两个设置于所述盖槽中的顶柱,所述底座上开设有一个用于容置焊接所述芯片的容置腔室,所述第二通孔的横截面积小于所述引线组正常状态下的横截面积,两个所述顶柱之间的距离小于所述芯片的长度,所述顶柱与所述芯片的长度之和对应所述陶瓷管与所述容置腔室的长度之和,所述顶柱朝向所述底座的一端与所述芯片间隙接触。
2.根据权利要求1所述的具有铝盖的整流二极管,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈也超,张瑞明,沈嘉晨,周强,
申请(专利权)人:嘉兴马莎半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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