改进充电结构的浮空动态放大器及sigma-delta调制器制造技术

一种改进充电结构的浮空动态放大器及sigma‑delta调制器，属于模拟集成电路技术领域。本发明专利技术针对现有采用电容做电源的浮空反相动态放大器直接利用电源进行充电，存在充电功耗的问题。包括两个反相器和浮空电容，两个反相器的PMOS源端相连接，并连接浮空电容的上极板；两个反相器的NMOS源端相连接，并连接浮空电容的下极板；放大器不工作时，两个反相器的输出端连接共模电压；浮空电容通过两个控制开关连接电源，所述控制开关用于调节浮空电容的充电电位，使浮空电容的充电电位为预设目标值；放大器工作时，浮空电容对两个反相器放电，实现放大功能。本发明专利技术用于降低浮空动态放大器的充电功耗。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及改进充电结构的浮空动态放大器及sigma-delta调制器，属于模拟集成电路。

技术介绍

1、sigma-delta调制器通过不断累积量化误差来实现高精度的模拟信号转换。它通过在高频率上对信号进行过采样，并在数字域中进行低通滤波来实现高分辨率和低噪声的数字信号输出。为了实现传感器的便携性，需要更低功耗的sigma-delta调制器。

2、最近几年出现的采用电容做电源的浮空反相动态放大器在sigma-delta调制器里被广泛应用，其具有低功耗、自猝灭等优点。但是由于浮空电容直接接到电源进行充电，造成了一定的充电功耗。

技术实现思路

1、针对现有采用电容做电源的浮空反相动态放大器直接利用电源进行充电，存在充电功耗的问题，本专利技术提供一种改进充电结构的浮空动态放大器及sigma-delta调制器，以满足在高电源电压下低功耗的需求。

2、本专利技术的一种改进充电结构的浮空动态放大器，包括两个反相器和浮空电容，两个反相器的pmos源端相连接，并连接浮空电容的上极板；两个反相器的n本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种改进充电结构的浮空动态放大器，其特征在于包括两个反相器和浮空电容，两个反相器的PMOS源端相连接，并连接浮空电容的上极板；两个反相器的NMOS源端相连接，并连接浮空电容的下极板；放大器不工作时，两个反相器的输出端连接共模电压；

2.根据权利要求1所述的改进充电结构的浮空动态放大器，其特征在于，所述控制开关包括上极板控制开关和下极板控制开关；

3.根据权利要求2所述的改进充电结构的浮空动态放大器，其特征在于，所述NMOS传输门包括NMOS管NT1、NMOS管NT2和NMOS管NT3，

4.根据权利要求3所述的改进充电结构的浮空动态放大器，其特征在...

【技术特征摘要】

1.一种改进充电结构的浮空动态放大器，其特征在于包括两个反相器和浮空电容，两个反相器的pmos源端相连接，并连接浮空电容的上极板；两个反相器的nmos源端相连接，并连接浮空电容的下极板；放大器不工作时，两个反相器的输出端连接共模电压；

2.根据权利要求1所述的改进充电结构的浮空动态放大器，其特征在于，所述控制开关包括上极板控制开关和下极板控制开关；

3.根据权利要求2所述的改进充电结构的浮空动态放大器，其特征在于，所述nmos传输门包括nmos管nt1、nmos管nt2和nmos管nt3，

4.根据权利要求3所述的改进充电结构的浮空动态放大器，其特征在于，所述pmos传输门包括pmos管pt1、pmos管pt2和pmos管pt3，

5.根据权利要求4所述的改进充电结构的浮空动态放大器，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹亮，隋子洋，付强，于鑫，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：