【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及化学气相沉积领域，尤其涉及一种用于化学气相沉积的组件、装备及承载装置。
技术介绍
1、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)是一种先进的材料制备技术，广泛应用于半导体、太阳能、光电器件和各类保护涂层的制造。化学气相沉积技术的基本原理涉及将一种或多种前驱体气体引入到一个加热的反应室中，其中衬底材料被置于适当的温度下。这些前驱体在衬底表面或其附近分解或发生化学反应，生成所需的固态材料，并均匀沉积在衬底上。
2、在使用化学气相沉积技术过程中，特别是在应用于盘状衬底如石墨盘时，存在一个关键的承载问题。现有的承载装置设计常导致盘状衬底的背面或其局部区域与承载装置物理接触或被物理遮挡。这种接触或遮挡造成了前驱体气体无法均匀到达盘状衬底的所有区域，尤其是背面区域。例如，在石墨盘衬底上沉积碳化硅(sic)时，如果盘状衬底背面被遮挡，将无法在该区域形成碳化硅沉积层。
3、这样，由于承载装置的限制，导致了盘状衬底的沉积面积和效率受限，对整体的生产效率和材料的利用率产生影响。例如，在石...
【技术保护点】
1.一种用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述组件包括：
2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述外周部分呈圆环状，所述连接部分至少部分地形成为在所述衬底的径向上延伸的杆状部，使得所述衬底与所述外周部分之间形成有在所述衬底的周向上延伸的间隙。
3.根据权利要求2所述的用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述组件总体上呈盘状，所述外周部分以及所述连接部分与所述衬底是同材质的并且是一体的。
4.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述杆状部在所述衬底的周向上的第一尺寸与所述衬底的周长之间的比...
【技术特征摘要】
1.一种用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述组件包括：
2.根据权利要求1所述的用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述外周部分呈圆环状，所述连接部分至少部分地形成为在所述衬底的径向上延伸的杆状部，使得所述衬底与所述外周部分之间形成有在所述衬底的周向上延伸的间隙。
3.根据权利要求2所述的用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述组件总体上呈盘状，所述外周部分以及所述连接部分与所述衬底是同材质的并且是一体的。
4.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述杆状部在所述衬底的周向上的第一尺寸与所述衬底的周长之间的比值介于1:80至1:50之间。
5.根据权利要求3所述的用于化学气相沉积的组件，其特征在于，所述杆状部在所述衬底的厚度方向上的第二尺寸小于所述衬底的厚度。
6.一种用于化学气相沉积的装备，其特征在于，所述装备包括：
7.根据权利要求6所述的用于化学气相沉积的装备...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦双亮，刘进，丰盛，
申请(专利权)人：重庆欣晖材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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