一种HVLP极低轮廓铜箔生产用添加剂的制备方法、制品及其应用技术

本发明专利技术公开了一种HVLP极低轮廓铜箔生产用添加剂的制备方法、制品及其应用，其包括N,N‑二甲硫代羰基丙烷磺酸钠、聚二硫二丙烷酸磺钠、异硫脲丙磺酸内盐、甘油醚聚氧乙烯醚、明胶、氯化钠；使得电解液中的铜离子在阴极(钛辊)表面均匀沉积，以确保铜箔表面均一平整、低轮廓(低粗糙度),以及结合优化了一系列工艺条件，包含溶铜及生箔、粗化、固化、合金处理、防氧化、硅烷等参数可生产不同厚度，赋予具有高剥离强度、较高导电性、良好的抗氧化性以及优异的耐磨性极低轮廓的铜箔。铜箔具有优异的物理和化学性能，如极低轮廓的同时保持较高剥离强度、较高导电性、良好的抗氧化性以及优异的耐磨性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电解铜箔生产制造，具体涉及一种hvlp极低轮廓铜箔生产用添加剂的制备方法、制品及其应用。

技术介绍

1、高性能电子电路铜箔是5g通讯、高速服务器应用领域不可或缺的关键原料。进入高速数字线路和毫米波通讯时代，新一代印制线路板(pcb,printed circuit board)中的信号完整性(si,signal integrity)，功率完整性(pi,power integrity)和电磁兼容性(emc,electromagnetic compatibility)的要求随着技术的迭代升级也水涨船高。作为pcb中信号传输的导体，电子电路铜箔自身的性能，以及后续加工过程中的工艺对信号传输性能发挥着决定性作用。

2、hvlp(high-volume low-pressure)极低轮廓铜箔作为一种新型材料，近年来在我国的研究与应用日益受到关注。随着科技的发展，电子产品、通信设备、新能源等领域对铜箔的性能要求越来越高。传统的高轮廓铜箔因体积较大、能耗高、污染环境等问题，已无法满足现代工业的发展需求。本专利技术主要性能优势体现在以下几个方面：首本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HVLP极低轮廓铜箔生产用添加剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.一种根据权利要求1所述方法制备而成的HVLP极低轮廓铜箔生产用添加剂，其特征在于，其包括以下原料：

3.一种根据权利要求2所述HVLP极低轮廓铜箔添加剂的应用，其特征在于，用于生产HVLP极低轮廓铜箔。

4.根据权利要求3所述HVLP极低轮廓铜箔添加剂的应用，其特征在于，采用电解电沉积工艺，在反应槽中溶液在循环通过电场的作用下，负极上沉积出金属铜，由机组收卷；电解过程中，电解液工作液温度50～55℃，电解液流量为30～60m3/H，在以上工艺环境下进行直流电沉积。...

【技术特征摘要】

1.一种hvlp极低轮廓铜箔生产用添加剂的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.一种根据权利要求1所述方法制备而成的hvlp极低轮廓铜箔生产用添加剂，其特征在于，其包括以下原料：

3.一种根据权利要求2所述hvlp极低轮廓铜箔添加剂的应用，其特征在于，用于生产hvl...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈韶明，
申请(专利权)人：安徽华威铜箔科技有限公司，
类型：发明
国别省市：