【技术实现步骤摘要】
实施例涉及图像传感器。
技术介绍
1、图像传感器可用于将光学图像转换成电信号。图像传感器可包括电荷耦合器件(ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(cmos)图像传感器(cis)。这样的图像传感器可包括以二维矩阵布置的多个像素，并且每个像素可被配置为从光能输出图像信号。每个像素可被配置为累积与通过光电转换元件入射的光的量对应的光电荷，并且基于累积的光电荷输出像素信号。
技术实现思路
1、实施例可通过提供一种图像传感器来实现，所述图像传感器包括：基底，包括有源像素区域和围绕有源像素区域的外围区域；金属层，在基底的外围区域上；下反射层，在基底和金属层上；共振层，在下反射层上；以及上反射层，在共振层上，其中，共振层在有源像素区域上具有在与基底的上表面垂直的垂直方向上的第一厚度，并且在外围区域上具有在所述垂直方向上的第二厚度，并且第一厚度大于第二厚度。
2、实施例可通过提供一种图像传感器来实现，所述图像传感器包括：基底，包括有源像素区域和围绕有源像素区域的外围区域，有源像素区域包括有...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中：
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中：
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，有源像素区域上的上反射层的垂直高度与外围区域上的上反射层的垂直高度相同。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的图像传感器，还包括：
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的图像传感器，其中，共振层包括：
9.一种图像传感器，包括：<...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中：
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中：
5.根据权利要求3所述的图像传感器，其中：
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，有源像素区域上的上反射层的垂直高度与外围区域上的上反射层的垂直高度相同。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的图像传感器，还包括：
8.根据权利要求1至6中的任一项所述的图像传感器，其中，共振层包括：
9.一种图像传感器，包括：
10.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，第一残留层具有从外围区域朝向有源像素区域向下倾斜的上表面。
11.根据权利要求9所述的图像传感器，其中，第一残留层在所述垂直方向上具有在朝向外围区域的方向上增大的厚度。
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