【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
2、在dram等半导体结构的制造过程中，需要形成具有高深宽比的接触插塞，以将导电结构的信号引出或者引入。但是，在实际的半导体制程工艺中，由于用于形成接触插塞的通孔的深宽比较高在刻蚀过程中所述通孔易出现倾斜或者弯曲等形变(distortion)，或者，由于对准偏差等原因导致通孔的位置发生偏移(shift)。所述通孔的形变或者偏移都会使得于所述通孔内形成的所述接触插塞与周边的导电结构之间的距离缩短。当电压信号施加至所述接触插塞上时，易导致所述接触插塞与周边的所述导电结构之间出现漏电，严重时还会...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述接触插塞的底面与所述导电结构的顶面接触电连接；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述接触插塞在所述衬底的顶面上的投影位于相邻的两个所述隔离结构之间的间隙在所述衬底的顶面上的投影内部。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述接触插塞包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度，且所述...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述接触插塞的底面与所述导电结构的顶面接触电连接；
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述接触插塞在所述衬底的顶面上的投影位于相邻的两个所述隔离结构之间的间隙在所述衬底的顶面上的投影内部。
5.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述接触插塞包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二部分的宽度小于所述第一部分的宽度，且所述第二部分的部分侧壁与所述第一部分的部分侧壁平齐。
7.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述接触插塞沿所述衬底指向所述导电结构的方向延伸；或者，
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，在沿所述衬底指向所述导电结构的方向上，所述隔离结构的顶面与所述导电结构的顶面之间的距离为10nm～100nm。
9.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料为氮化物材料。
11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：
12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，于所述衬底上形成多个间隔设置的导电结构、并形成位于所述导电结构上的阻挡层的具体步骤包括：
13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成多个沿第一方向间隔排布、且沿第二方向贯穿所述导电材料层和所述初始阻挡层的第一沟槽的具体步骤包括：
14.根据权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始第一隔离层沿所述第二方向的厚度大于或者等于所述初始阻挡层沿所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹新满，宋闯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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