一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法及一种N型TOPCon电池技术

本发明专利技术公开了一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法及一种N型TOPCon电池，电池制备技术领域，包括将硅片依次进行以下步骤：S1：制绒去损伤层；S2：PN结制作；S3：去除硼硅玻璃，并对背表面进行抛光和边缘刻蚀得到电池初始结构；S4：将所述电池初始结构进行双面氧化；S5：在背面沉积一层多晶硅层；S6：在背面进行离子注入；S7：在背表面镀一层SiNx:H膜层；S8：去除多晶硅层及氧化层；S9：在正表面依次沉积一层Al<subgt;2</subgt;O<subgt;3</subgt;及SiNx:H膜层；S10：设置电极。本发明专利技术通过预先在正表面及背表面氧化的方法均生长一层氧化硅层，不仅能够保护正表面对晶硅绕镀层去除过程中对中心区域的破坏作用，而且也解决了硼硅玻璃层保留时产生的边缘漏电较大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电池制备，具体涉及一种易于去除边缘多晶硅绕镀的n型topcon电池的制备方法及一种n型topcon电池。

技术介绍

1、基于n型硅衬底的隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivated contact，topcon)电池技术，由于背表面采用了超薄氧化硅和掺杂多晶硅(poly-si)的叠层结构进行钝化，该隧穿氧化层钝化接触结构能够使得多数载流子穿透氧化层，对少数载流子起阻挡作用，有效地实现了载流子的选择通过性，从而极大地降低了少数载流子的复合速率，不但能实现与异质结结构相当的表面钝化效果，而且可以与高温工艺相兼容，还避免了电极接触处的高复合问题。

2、然而在产业化生产过程中多晶硅层的沉积多采用管式lpcvd(低压化学气相沉积)沉积系统，为了提高单管的产能，产业化生产过程是将硼扩散面相对双插在同一个石英舟卡槽内对背表面进行多晶硅沉积，这样会使得硼扩面产生不同程度的绕镀，对于本征的多晶硅层，易于被酸或碱去除，但是对于硼掺杂的多晶硅极难被酸或碱的刻蚀溶液去掉。根据目前主流的topcon电池工艺生产流程，将制绒后的片源进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，包括将硅片依次进行以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，S4中所述双面氧化的方式包括热氧化方式或采用HNO3溶液氧化方式。

3.根据权利要1所述的一种易于去除边缘多晶硅绕镀的N型TOPCon电池的制备方法，其特征在于，S1中所述制绒去损伤层的过程包括采用KOH或NaOH与H2O2的混合溶液去除损伤层，再利用KOH或NaOH溶液与异丙醇的混合溶液进行双面制绒；

4.根据权利要求2所述的一种易于去除边缘多晶硅绕镀...

【技术特征摘要】

1.一种易于去除边缘多晶硅绕镀的n型topcon电池的制备方法，其特征在于，包括将硅片依次进行以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种易于去除边缘多晶硅绕镀的n型topcon电池的制备方法，其特征在于，s4中所述双面氧化的方式包括热氧化方式或采用hno3溶液氧化方式。

3.根据权利要1所述的一种易于去除边缘多晶硅绕镀的n型topcon电池的制备方法，其特征在于，s1中所述制绒去损伤层的过程包括采用koh或naoh与h2o2的混合溶液去除损伤层，再利用koh或naoh溶液与异丙醇的混合溶液进行双面制绒；

4.根据权利要求2所述的一种易于去除边缘多晶硅绕镀的n型topcon电池的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1～2nm，所述多晶硅层的厚度为80～150nm。

5.根据权利要求1所述的一种易于去除边缘多晶硅绕镀的n型topcon电池的制备方法，其特征在于，s6中离子注入的过程包括在所述多晶硅层注入磷源，注入剂量为2.0e+15～4.0e+15/cm2。

6.根据权利要求1所述一种易于去除边缘多晶硅绕镀的n型topcon电池的制备方法，其特征在于，s7中所述s...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘大伟，陈杰，张洪涛，刘思瑞，周珊合，杨仕林，吴秋宏，何振雄，
申请(专利权)人：绵阳炘皓新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：