【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于背接触电池，具体涉及一种受光面特定钝化的联合钝化背接触电池及其制作和应用。
技术介绍
1、在现有的联合钝化背接触电池的后制绒方法中，在受光面形成钝化层与减反层，钝化层一般为非晶硅钝化层，钝化层厚度一般为5-15nm；钝化层与减反层一般采用板式pecvd形成，且形成时的温度大约为200℃。
2、然而，受光面的非晶硅钝化层及减反层一般需要用板式pecvd沉积，板式pecvd设备昂贵，大幅增加了设备成本；同时受光面钝化层为非晶硅钝化层的厚度一般为7nm左右，厚度较厚才能保证一定的钝化效果，非晶硅层的吸收系数较高，因此严重影响电池的短路电流。
3、需要说明的是，本专利技术的该部分内容仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然构成现有技术或公知技术。
技术实现思路
1、本专利技术的目的是为了克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种受光面特定钝化的联合钝化背接触电池及其制作和应用，其能使得整体的钝化效果在较高水平，会显著提高短路电流和电池转换效率，同时大幅降低设备成
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【技术保护点】
1.一种受光面特定钝化的联合钝化背接触电池，包括硅基底，在硅基底背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，并在第一半导体层的背面开设不覆盖第二半导体层的第一半导体开口区，其中，第一半导体层包含第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，第二半导体层包含本征硅层和第二掺杂硅层，其特征在于，还包括在硅基底受光面依次设置的第二隧穿氧化层、超薄非晶硅层和减反层，超薄非晶硅层的厚度为0.5-3nm，第二隧穿氧化层、超薄非晶硅层的厚度之比为0.15-1：1。
2.根据权利要求1所述的受光面特定钝化的联合钝...
【技术特征摘要】
1.一种受光面特定钝化的联合钝化背接触电池，包括硅基底，在硅基底背面交替设置的第一半导体层和第二半导体层，所述第二半导体层的两端分别向外延伸至覆盖在相邻的第一半导体层的部分背面外，并在第一半导体层的背面开设不覆盖第二半导体层的第一半导体开口区，其中，第一半导体层包含第一隧穿氧化层和第一掺杂多晶硅层，第二半导体层包含本征硅层和第二掺杂硅层，其特征在于，还包括在硅基底受光面依次设置的第二隧穿氧化层、超薄非晶硅层和减反层，超薄非晶硅层的厚度为0.5-3nm，第二隧穿氧化层、超薄非晶硅层的厚度之比为0.15-1：1。
2.根据权利要求1所述的受光面特定钝化的联合钝化背接触电池，其特征在于，超薄非晶硅层为氢化非晶硅、本征非晶硅、掺氧型非晶硅或n型掺杂非晶硅，掺氧型非晶硅的掺氧浓度为5e18cm-3-5e21cm-3，n型掺杂非晶硅的有效掺杂浓度为3e19cm-3-3e20cm-3。
3.根据权利要求2所述的受光面特定钝化的联合钝化背接触电池，其特征在于，超薄非晶硅层为氢化非晶硅，氢化非晶硅的氢含量为5-15 at.%。
4.根据权利要求1所述的受光面特定钝化的联合钝化背接触电池，其特征在于，超薄非晶硅层的厚度为0.5-3nm，和/或，第二隧穿氧化层的厚度为0.5-1.5nm。
5....
【专利技术属性】
技术研发人员：林楷睿，
申请(专利权)人：金阳泉州新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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