【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种基于鳍式场效应晶体管的生物传感器及其制备方法。
技术介绍
1、在医疗过程中，通过早期发现疾病，可以及时控制病情，降低医疗成本，尤其是许多疾病在早期阶段并没有明显的症状。因此对疾病检测设备的要求十分严格。在众多生物传感器中，基于fet(field effect transistor，场效晶体管)生物传感器凭借无标记检测即不会破坏生物分子的固有特征、小型化和良好的cmos(complementary metal oxidesemiconductor,互补金属氧化物半导体)工艺兼容的优点脱颖而出。该生物传感器不仅能够检测带电的生物分子，还能检测中性生物分子。
2、然而，随着fet生物传感器的尺寸不断缩小，不可避免的带来了短沟道效应，增加了生物传感器功耗并降低了灵敏度。为了解决这一问题，提出了不同类型的生物传感器，如基于finfet(fin field effect transistor,鳍式场效应晶体管)生物传感器和基于tfet(tunneling field effect transisto...
【技术保护点】
1.一种基于鳍式场效应晶体管的生物传感器，包括衬底(1)，其特征在于，衬底(1)上表面设置有一层埋氧层(2)，埋氧层(2)上表面两端设置有源区(3)和漏区(5)，源区(3)和漏区(5)之间设置有带凹槽的沟道(6)，沟道(6)靠近漏区(5)一侧的四周设置一层环状的栅极电介质(8)，栅极电介质(8)靠近漏区(5)一侧的四周设置一层环状的侧墙(4)，沟道(6)靠近源区(3)一侧未填充栅极电介质(8)的四周形成生物探测腔(7)，生物分子进入生物探测腔(7)的入口位于源区(3)一侧，栅极电介质(8)和生物探测腔(7)的四周设置有一层环状的金属栅极(9)。
2.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种基于鳍式场效应晶体管的生物传感器，包括衬底(1)，其特征在于，衬底(1)上表面设置有一层埋氧层(2)，埋氧层(2)上表面两端设置有源区(3)和漏区(5)，源区(3)和漏区(5)之间设置有带凹槽的沟道(6)，沟道(6)靠近漏区(5)一侧的四周设置一层环状的栅极电介质(8)，栅极电介质(8)靠近漏区(5)一侧的四周设置一层环状的侧墙(4)，沟道(6)靠近源区(3)一侧未填充栅极电介质(8)的四周形成生物探测腔(7)，生物分子进入生物探测腔(7)的入口位于源区(3)一侧，栅极电介质(8)和生物探测腔(7)的四周设置有一层环状的金属栅极(9)。
2.根据权利要求1所述的一种基于鳍式场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述的生物探测腔(7)数量为1-4个。
3.根据权利要求1所述的一种基于鳍式场效应晶体管的生物传感器，其特征在于，所述的沟道(6)、生物探测腔(7)和栅极电介质(8)的组合结构还可以设置多组堆叠，形成多沟道鳍式场效应晶体管生物传感器。
4.基于权利要求1-3任一项所述的一种基于鳍式场效应晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：贾护军，杨万里，曹伟涛，赵淋娜，苏琪钰，韦星语，曹震，杨银堂，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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