基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料、制备方法及电致发光器件技术

技术编号:42208716 阅读:18 留言:0更新日期:2024-07-30 18:52
本发明专利技术涉及有机光电材料技术领域,具体公开了基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料、制备方法及电致发光器件,基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料通过在给体或给受体连接得苯桥上引入三氟甲基,设计一系列基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料。该修饰策略利于增加分子的扭曲程度获得较小的ΔEST,同时有助于增加光致发光量子效率(PLQY)和光稳定性,进而加速RI SC过程,提高器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机光电材料,具体涉及基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料、制备方法及电致发光器件


技术介绍

1、热活化延迟荧光(tadf)材料不仅能使激子利用率达到100%,还可降低三线态激子浓度,进而抑制器件效率滚降,因此热活化延迟荧光材料成为有机发光二极管(oled)领域的重要研究方向。

2、在设计合成高效tadf材料时,由于tadf分子的结构特点,导致tadf-oled存在r isc过程慢、发光效率不高、高电流密度下效率滚降严重等问题。这是因为tadf分子一方面需要尽可能减少分子的最高占据分子轨道(homo)和最低未占据分子轨道(lumo)波函数的重叠积分,确保较小的s1和t1之间的能级差(δest);另一方面需要较大的s1到s0的辐射跃迁速率(krs)确保较高的光致发光量子产率(plqy)。

3、但homo和lumo分离程度过高,造成krs急剧的减少,分子的plqy降低。因此较大的辐射跃迁速率常数krs与较小的δest两者是矛盾的。

4、因此目前在设计合成高效热活化延迟荧光材料时要综合考虑两个因素并在二者间寻找平衡本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料,其特征在于,所述材料分子结构为:

2.根据权利要求1所述的热延迟荧光材料,其特征在于:所述R选自以下结构中的任意一种:

3.根据权利要求2所述的热延迟荧光材料,其特征在于,所属材料具有以下具体结构:

4.基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

5.根据权利要求1-3任一所述的热延迟荧光材料于制备有机电致发光器件中的应用。

6.一种有机电致发光器件,其特征在于:包括依次层叠设置的阳极层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层,...

【技术特征摘要】

1.基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料,其特征在于,所述材料分子结构为:

2.根据权利要求1所述的热延迟荧光材料,其特征在于:所述r选自以下结构中的任意一种:

3.根据权利要求2所述的热延迟荧光材料,其特征在于,所属材料具有以下具体结构:

4.基于三氟甲基修饰的热延迟荧光材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:

5.根据权利要求1-3任一所述的热延迟荧光材料于制备有机电致发光器件中的应用。

6.一种有机电致发光器件,其特征在于:包括依次层叠设置的阳极层、空穴传输层、电子阻挡层...

【专利技术属性】
技术研发人员:李慧婷王彦博李云菲
申请(专利权)人:内蒙古民族大学
类型:发明
国别省市:

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