【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于集成电路器件的输入/输出结构。更具体地，本公开涉及其中串行器/解串行器(serdes)小芯片堆叠在主集成电路裸片上的集成电路器件封装件。
技术介绍
1、本文提供的背景描述是为了一般性地呈现本公开的背景的目的。本专利技术人的工作，在本
技术介绍
部分中所描述的程度上的而言，以及在提交时可能不符合现有技术的描述的方面，既不明确也不暗示地承认是针对本公开的主题的现有技术。
2、集成电路器件可以使用串行信令来与片外设备(包括其他集成电路器件)进行通信。serdes接口可以被包括在集成电路器件上以提供串行信令能力。随着信号传输速度的提高，serdes接口的尺寸和功率要求消耗了越来越多的集成电路器件面积，即使集成电路器件本身的主裸片的功能电路装置需要更多的面积。将serdes接口移动到同一封装件中的分立小芯片中(例如，通过极短距离(xsr)接口与主裸片通信)增加了主裸片上用于功能电路装置的可用面积，但消耗了用于xsr接口的有价值的芯片“海滨(beachfront)”，这也消耗了大量功率。
技术实现思路
1、根据本公开的主题的实现方式，一种集成电路器件包括：主集成电路裸片，具有被配置为通过一个或多个高速通信接口在网络上进行通信的功能电路装置；包括串行接口电路装置的至少一个次级集成电路裸片，至少一个次级集成电路裸片当中的每个次级集成电路裸片被安装在主集成电路裸片的第一表面上；以及在功能电路装置与至少一个次级集成电路裸片的串行接口电路装置之间沿一个或多个第一穿硅过孔延伸的第一金
2、在此类集成电路器件的第一实现方式中，第一金属化连接可以被配置为从主集成电路裸片向次级集成电路裸片提供数据，并且次级集成电路裸片可以被配置为在集成电路器件与远程集成电路器件之间传递数据。
3、此类集成电路器件的第二实现方式还可以包括：在至少一个次级集成电路裸片的串行接口电路装置与主集成电路裸片的端子之间的第二金属化连接。
4、根据该第二实现方式的第一方面，第一金属化连接当中的至少一个金属化连接可以在(a)主集成电路裸片的层内的功能电路装置的元件与(b)主集成电路裸片的第一表面之间沿第一穿硅过孔中的相应的第一穿硅过孔延伸。
5、在第一方面的第一个示例中，第二金属化连接当中的至少一个金属化连接可以在(a)主集成电路裸片的第一表面与(b)主集成电路裸片的至少一个相应端子之间沿至少一个相应的第二穿硅过孔延伸，该至少一个相应的第二穿硅过孔垂直于主集成电路裸片的第一表面。
6、在第一个示例的第一变型中，第一金属化连接当中的至少一个金属化连接可以在至少一个第二穿硅过孔中的相应的第二穿硅过孔之间、平行于主集成电路裸片的第一表面沿相应的第一穿硅过孔延伸，以到达功能电路装置。
7、根据该第二实现方式的第二方面，第二金属化连接当中的至少一个金属化连接可以在(a)主集成电路裸片的第一表面与(b)主集成电路裸片的至少一个相应端子之间沿至少一个相应的第二穿硅过孔延伸。
8、在第二方面的第一个示例中，主集成电路裸片的端子中的相应端子可以在主集成电路裸片的、与主集成电路裸片的第一表面相对的第二表面上。
9、在第二方面的第二示例中，至少一个次级集成电路裸片可以与相应的第二穿硅过孔成接触关系地安装在主集成电路裸片的第一表面上。
10、在第二示例的第一变型中，第二金属化连接当中的至少一个金属化连接可以在(a)主集成电路裸片的第一表面与(b)主集成电路裸片的至少一个相应端子之间、从至少一个次级集成电路裸片的串行接口电路装置起沿相应的第二穿硅过孔延伸，而没有任何外部连接通道在至少一个相应端子与至少一个次级集成电路裸片的串行接口电路装置之间延伸。
11、在第二方面的第三示例中，至少一个次级集成电路裸片可以被安装在主集成电路裸片的第一表面上，与相应的第二穿硅过孔相距一段距离，并且第二金属化连接当中的至少一个金属化连接包括从至少一个次级集成电路裸片到相应的第二穿硅过孔的金属化迹线。
12、在第二方面的第四示例中，主集成电路裸片可以具有多个相应的第二穿硅过孔，多个相应的第二穿硅过孔中的第二穿硅过孔可以被分组到相应的区域中，第二穿硅过孔以不同的面密度被分布在不同的区域中，包括串行接口电路装置的中的至少一个次级集成电路裸片可以包括多个相应的集成电路裸片，每个集成电路裸片具有相应不同的相应的最大速度的相应串行接口电路装置，并且第二金属化连接中的相应的第二金属化连接根据相应串行接口电路装置的相应最大速度将多个次级集成电路裸片的相应次级集成电路裸片的相应串行接口电路装置耦合到相应区域中的一个相应区域中的第二穿硅过孔中的至少一个第二穿硅过孔。
13、在第二方面的第五示例中，主集成电路裸片还可以包括耦合到主集成电路裸片的特定端子的附加接口电路装置，第二金属化连接当中、在(a)主集成电路裸片的第一表面与(b)主集成电路裸片的至少一个相应端子之间沿至少一个相应的第二穿硅过孔延伸的至少一个金属化连接可以在(a)主集成电路裸片的第一表面与(b)主集成电路裸片的特定端子之间沿至少一个相应的第二穿硅过孔延伸，并且当附加接口电路装置未被使用时，第二金属化连接可以被用于通过至少一个相应的第二穿硅过孔将至少一个次级集成电路裸片连接到主集成电路裸片的特定端子。
14、根据本公开的主题的实现方式，一种形成集成电路器件的方法包括：在主集成电路裸片的第一表面上安装包括串行接口电路装置的至少一个次级集成电路裸片，并且创建第一金属化连接，该第一金属化连接在功能电路装置与至少一个次级集成电路裸片的串行接口电路装置之间沿一个或多个第一穿硅过孔延伸，该集成电路器件具有被配置为通过一个或多个高速通信接口在网络上通信的功能电路装置。
15、此类方法的第一实现方式还可以包括配置第一金属化连接以将数据从主集成电路裸片提供给次级集成电路裸片，以及配置次级集成电路裸片以在集成电路器件与远程集成电路器件之间传递数据。
16、此类方法的第二实现方式还可以包括在至少一个次级集成电路裸片的串行接口电路装置与主集成电路裸片的端子之间创建第二金属化连接。
17、根据该第二实现方式的第一方面，创建第一金属化连接可以包括：创建第一金属化连接当中的至少一个金属化连接，该至少一个金属化连接在(a)主集成电路裸片的层内的功能电路装置的元件与(b)主集成电路裸片的第一表面之间沿第一穿硅过孔中的相应的第一穿硅过孔延伸。
18、在该第一方面的第一个示例中，创建第二金属化连接可以包括：创建第二金属化连接当中的至少一个金属化连接，该至少一个金属化连接在(a)主集成电路裸片的第一表面与(b)主集成电路裸片的至少一个相应端子之间沿至少一个相应的第二穿硅过孔延伸，该至少一个相应的第二穿硅过孔垂直于主集成电路裸片的第一表面。
19、在该第一个示例的第一变型中，创建第一金属化连接可以包括：创建在第一金属化连接当中的至少一个金属化连接，该至少一个金属化连接在至少一本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：在所述至少一个次级集成电路裸片的所述串行接口电路装置与所述主集成电路裸片的端子之间的第二金属化连接。
4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述第一金属化连接当中的至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的层内的所述功能电路装置的元件与(b)所述主集成电路裸片的所述第一表面之间沿所述第一穿硅过孔中的相应的第一穿硅过孔延伸。
5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中：
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述第一金属化连接当中的所述至少一个金属化连接在所述至少一个第二穿硅过孔中的相应的第二穿硅过孔之间、平行于所述主集成电路裸片的所述第一表面沿相应的第一穿硅过孔延伸，以到达所述功能电路装置。
7.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述第二金属化连接当中的至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的所述第一表面与(b)所述主集成电路裸片的至少一个相应端子之间沿至少一个相应的
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述主集成电路裸片的所述端子中的所述相应端子在所述主集成电路裸片的、与所述主集成电路裸片的所述第一表面相对的第二表面上。
9.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述至少一个次级集成电路裸片以与所述相应的第二穿硅过孔接触的关系被安装在所述主集成电路裸片的所述第一表面上。
10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述第二金属化连接当中的所述至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的所述第一表面与(b)所述主集成电路裸片的所述至少一个相应端子之间、从所述至少一个次级集成电路裸片的所述串行接口电路装置起沿所述相应的第二穿硅过孔延伸，而没有任何外部连接通道在所述至少一个相应端子与所述至少一个次级集成电路裸片的所述串行接口电路装置之间延伸。
11.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中：
12.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中：
13.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中：
14.一种形成集成电路器件的方法，所述集成电路器件具有主集成电路裸片，所述主集成电路裸片具有功能电路装置，所述功能电路装置被配置为通过一个或多个高速通信接口在网络上进行通信，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的形成集成电路器件的方法，所述方法还包括：
16.根据权利要求14所述的形成集成电路器件的方法，所述方法还包括：在所述至少一个次级集成电路裸片的所述串行接口电路装置与所述主集成电路裸片的端子之间创建第二金属化连接。
17.根据权利要求16所述的形成集成电路器件的方法，其中创建所述第一金属化连接包括：创建所述第一金属化连接当中的至少一个金属化连接，所述至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的层内的所述功能电路装置的元件与(b)所述主集成电路裸片的所述第一表面之间沿所述第一穿硅过孔中的相应的第一穿硅过孔延伸。
18.根据权利要求17所述的形成集成电路器件的方法，其中：
19.根据权利要求18所述的形成集成电路器件的方法，其中创建所述第一金属化连接包括：创建所述第一金属化连接当中的至少一个金属化连接，所述至少一个金属化连接在所述至少一个第二穿硅过孔中的相应的第二穿硅过孔之间、平行于所述主集成电路裸片的所述第一表面沿相应的第一穿硅过孔延伸，以到达所述功能电路装置。
20.根据权利要求16所述的形成集成电路器件的方法，其中创建所述第二金属化连接包括：创建所述第二金属化连接当中的至少一个金属化连接，所述至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的所述第一表面与(b)所述主集成电路裸片的所述至少一个相应端子之间沿至少一个相应的第二穿硅过孔延伸。
21.根据权利要求20所述的形成集成电路器件的方法，其中创建所述第二金属化连接当中的至少一个金属化连接、所述至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的所述第一表面与(b)所述主集成电路裸片的所述至少一个相应端子之间沿至少一个相应的第二穿硅过孔延伸包括：创建所述第二金属化连接当中的所述至少一个金属化连接，所述至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的所述第一表面与(b)所述主集成电路裸片的至少一个相应端子之间沿所述至少一个相应的第二穿硅过孔延伸，所述至少一个相应端子在所述主集成电路裸片的、与所述主集成电路裸片的所述第一表面相对的所述第二表面上。
22.根据权利要求20所述的形成...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：在所述至少一个次级集成电路裸片的所述串行接口电路装置与所述主集成电路裸片的端子之间的第二金属化连接。
4.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述第一金属化连接当中的至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的层内的所述功能电路装置的元件与(b)所述主集成电路裸片的所述第一表面之间沿所述第一穿硅过孔中的相应的第一穿硅过孔延伸。
5.根据权利要求4所述的集成电路器件，其中：
6.根据权利要求5所述的集成电路器件，其中所述第一金属化连接当中的所述至少一个金属化连接在所述至少一个第二穿硅过孔中的相应的第二穿硅过孔之间、平行于所述主集成电路裸片的所述第一表面沿相应的第一穿硅过孔延伸，以到达所述功能电路装置。
7.根据权利要求3所述的集成电路器件，其中所述第二金属化连接当中的至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的所述第一表面与(b)所述主集成电路裸片的至少一个相应端子之间沿至少一个相应的第二穿硅过孔延伸。
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述主集成电路裸片的所述端子中的所述相应端子在所述主集成电路裸片的、与所述主集成电路裸片的所述第一表面相对的第二表面上。
9.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述至少一个次级集成电路裸片以与所述相应的第二穿硅过孔接触的关系被安装在所述主集成电路裸片的所述第一表面上。
10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述第二金属化连接当中的所述至少一个金属化连接在(a)所述主集成电路裸片的所述第一表面与(b)所述主集成电路裸片的所述至少一个相应端子之间、从所述至少一个次级集成电路裸片的所述串行接口电路装置起沿所述相应的第二穿硅过孔延伸，而没有任何外部连接通道在所述至少一个相应端子与所述至少一个次级集成电路裸片的所述串行接口电路装置之间延伸。
11.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中：
12.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中：
13.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中：
14.一种形成集成电路器件的方法，所述集成电路器件具有主集成电路裸片，所述主集成电路裸片具有功能电路装置，所述功能电路装置被配置为通过一个或多个高速通信接口在网络上进行通信，所述方法包括：
15.根据权利要求14所述的形成集成电路器件的方法，所述方法还包括：
16.根据权利要求14所述的形成集成电路器件的方法，所述方法还包括：在所述至少一个次级集成电路裸片的所述串行接口电路装置与所述主集成电路裸片的端子之间创建第二金属化连接。
17.根据权利要求16所述的形成集成电路器件的方法，其中创建所述第一金属化连接包括：创建所述第一金属化连接当中的至少一个金属化连接，所述至少一个金属化连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·查克拉瓦蒂，M·W·库梅勒，W·萨特，C·M·卢兹，J·E·小格雷戈里，E·S·福尔摩斯，S·M·阿科克，
申请(专利权)人：马维尔亚洲私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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