【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及打表拉直,尤其涉及一种打表拉直治具及方法。
技术介绍
1、在半导体制造中常用到化学气相沉积技术,含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜。这种工艺是化学气相沉积(chemicalvapor deposition,cvd)中的一种,其原理是通过化学反应的方式,利用加热、等离子激励或光辐射等各种能源,在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术。
2、在cvd镀膜过程中,晶圆在气体分配盘下方。在cvd化学气象沉积过程中,气体分配盘需保证良好的密封性,从而保证沉积过程的稳定性,如密封不好会导致表面有倾斜,导致镀膜不均匀,影响芯片使用。
3、而影响气体分配盘的密封性的主要因素之一便是加工制造时的加工精度,现有技术对气体分配盘进行机床加工时通过打表拉直定位产品,然而气体分配盘存在表面形状不规则的问题,无法找到直边以进行精确定位,只能在气体分配盘上需要拉直的方向上开设工艺孔,然后利用百分表分别对至少两个孔位测量,但由于测量过程属于点测,受
...【技术保护点】
1.一种打表拉直治具,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的打表拉直治具,其特征在于,所述限位件(12)设置有至少两个,至少两个所述限位件(12)间隔设置,相邻的两个限位件(12)之间限定出避让空间,所述避让空间用于避让所述待加工件上的凸起结构。
3.根据权利要求1所述的打表拉直治具,其特征在于,所述限位件(12)具有与所述基准面(111)垂直的贴合面(122),所述贴合面(122)贴合于所述待加工件,且所述限位部(121)凸设于所述贴合面(122)。
4.根据权利要求1所述的打表拉直治具,其特征在于,所述限位部(121)设置
...【技术特征摘要】
1.一种打表拉直治具,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的打表拉直治具,其特征在于,所述限位件(12)设置有至少两个,至少两个所述限位件(12)间隔设置,相邻的两个限位件(12)之间限定出避让空间,所述避让空间用于避让所述待加工件上的凸起结构。
3.根据权利要求1所述的打表拉直治具,其特征在于,所述限位件(12)具有与所述基准面(111)垂直的贴合面(122),所述贴合面(122)贴合于所述待加工件,且所述限位部(121)凸设于所述贴合面(122)。
4.根据权利要求1所述的打表拉直治具,其特征在于,所述限位部(121)设置为柱状结构,且所述限位部(121)远离所述限位件(12)的一端设置有倒角。
5.根据权利要求1所述的打表拉直治具,其特征在于,所述限位部(121)设置为楔形结构,且沿远离所述限位件(12)方向上的横截面积逐渐减小。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:姚力军,潘杰,章奇侠,俞超超,
申请(专利权)人:宁波江丰芯创科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。