【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅光学部件的制造方法、硅光学部件及具有硅光学部件的发光装置。
技术介绍
1、在专利文献1中公开有由硅基板制造反射镜的方法，其中，在硅基板上形成掩模，通过蚀刻形成反射基底面，在虚拟基板上贴合硅基板，从反射基底面的相反侧研磨硅基板而将反射镜单片化。
2、现有技术文献
3、专利文献
4、专利文献1：日本特开2005－340408
技术实现思路
1、专利技术要解决的课题
2、在制作具有发光元件和反射镜等的光学部件的发光装置时，要求小尺寸的光学部件。认为：若光学部件变小，则具有减小发光装置的尺寸、能够通过相同大小的发光装置配置多个光学部件这样的优点。
3、为了由硅基板得到小尺寸的光学部件，仅由专利文献1的公开是不足的，另外，具有不得不考虑的技术事项。本专利技术的目的在于实现小尺寸的硅光学部件。
4、用于解决课题的技术方案
5、实施方式公开的硅光学部件的制造方法具有如下的工序：准备具有第一主面及所述第一主面相反侧的第二主面的硅基板；在所述第一主面之上形成掩模图案；使用所述掩模图案作为掩模从所述第一主面侧对所述硅基板进行湿式蚀刻，形成一个或多个倾斜面；支承所述硅基板的所述第一主面侧，以不到达所述一个或多个倾斜面的方式将所述硅基板从所述第二主面向所述第一主面侧部分地除去，在比所述第二主面靠所述第一主面侧形成第三主面；在所述第三主面设置反射膜，形成反射面；将所述硅基板单片化为分别包含所述倾斜面及所述反射
6、实施方式公开的硅光学部件具有硅部件和反射膜，所述硅部件具有下表面、与所述下表面相交且从所述下表面向上方延伸的第一侧面、与所述第一侧面相交且相对于所述下表面以45度的角度从所述第一侧面向斜上方延伸的所述主面、在所述第一侧面的相反侧与所述主面相交且从所述主面向下方延伸的第二侧面、与所述第二侧面相交且相对于所述下表面以90度的角度从所述第二侧面向下方延伸的第三侧面，所述反射膜设于所述主面，所述第一侧面的从与所述下表面相交的边到与所述主面相交的边的宽度为10μm以上且50μm以下，所述主面的从下端到上端的宽度比所述下表面的从所述第一侧面侧的端点到所述第三侧面侧的端点的宽度大。
7、实施方式公开的发光装置具有：基板，其具有安装面；上述的光学部件，其与所述安装面接合；金属部件，其具有第一面和所述第一面相反侧的第二面，所述第二面接合在所述安装面上，垂直于所述安装面的方向的厚度为50μm以上且150μm以下；半导体激光元件，使光出射面朝向所述光学部件的主面，与所述金属部件的所述第一面接合，从所述半导体激光元件到所述硅光学部件的、平行于所述安装面的方向的最短距离超过0μm且为100μm以下。
8、通过实施方式公开的本专利技术的一个或多个方面的至少一个，能够有助于实现小尺寸的硅光学部件。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种硅光学部件的制造方法，其中，具有如下的工序：
2.如权利要求1所述的硅光学部件的制造方法，其中，
3.如权利要求1或2所述的硅光学部件的制造方法，其中，
4.如权利要求1～3中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
5.如权利要求1～4中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
6.如权利要求1～5中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
7.如权利要求1～6中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
8.如权利要求1～7中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
9.一种硅光学部件，其中，具有硅部件，该硅部件具有下表面、与所述下表面相交且从所述下表面向上方延伸的第一侧面、与所述第一侧面相交且相对于所述下表面以45度的角度从所述第一侧面向斜上方延伸的主面、在所述第一侧面的相反侧与所述主面相交且从所述主面向下方延伸的第二侧面、与所述第二侧面相交且相对于所述下表面以90度的角度从所述第二侧面向下方延伸的第三侧面，
10.如权利要求9所述的硅光学部件，其中，
<...【技术特征摘要】
1.一种硅光学部件的制造方法，其中，具有如下的工序：
2.如权利要求1所述的硅光学部件的制造方法，其中，
3.如权利要求1或2所述的硅光学部件的制造方法，其中，
4.如权利要求1～3中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
5.如权利要求1～4中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
6.如权利要求1～5中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
7.如权利要求1～6中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
8.如权利要求1～7中任一项所述的硅光学部件的制造方法，其中，
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【专利技术属性】
技术研发人员：汤藤祐且，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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