【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于生成晶片抛光量的设备及其测量方法，该设备能够精确地测量和管理晶片抛光量。
技术介绍
1、通常，广泛地用作用于制造半导体元件的材料的晶片指的是以多晶硅为原材料而制成的单晶硅薄板。
2、这种晶片通过切片过程、研磨过程、蚀刻过程、抛光过程和清洗过程来制造，其中，切片过程使多晶硅生长成单晶硅锭，然后以晶片的形式切割硅锭；研磨过程使晶片的厚度均匀化，使得晶片平整；蚀刻过程去除和减轻由机械抛光导致的损伤；抛光过程使晶片的表面镜面化；清洗过程清洗晶片。
3、抛光过程是非常重要的过程，因为抛光过程是在将晶片引入设备工序之前，生成最终的平整度和表面粗糙度的过程。
4、在抛光过程中，吸附于头部的晶片在压力作用下在抛光垫上旋转，使得晶片的表面机械地平坦化，此外，执行化学反应的浆料供应到抛光垫上，使得晶片的表面化学地平坦化。
5、在第2007-066964号日本专利公布(于2008年9月25日公布)中公开了一种用于晶片的双面抛光设备，该双面抛光设备测量晶片的中心部分的厚度，且能够高可靠性地进
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1.一种用于测量晶片抛光量的设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一称重单元被构造为支撑所述装载盒的负载单元。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二称重单元被构造为支撑所述卸载盒的负载单元。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一称重单元测量在所述装载盒中容纳一片晶片之前/之后所述装载盒的重量(第一测量值和第二测量值)，
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第二称重单元测量在所述卸载盒中容纳一片晶片之前/之后所述卸载盒的重量(第三测量值和第四测量值)，
6.根据权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于测量晶片抛光量的设备，所述设备包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一称重单元被构造为支撑所述装载盒的负载单元。
3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第二称重单元被构造为支撑所述卸载盒的负载单元。
4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述第一称重单元测量在所述装载盒中容纳一片晶片之前/之后所述装载盒的重量(第一测量值和第二测量值)，
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述第二称重单元测量在所述卸载盒中容纳一片晶片之前/之后所述卸载盒的重量(第三测量值和第四测量值)，
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述控制单元包括计算部件，所述计算部件被配置成根据一片晶片在抛光之前/之后的重量的变化，计算该一片晶片的抛光量。
7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述控制单元包括命令部件，所述命令部件被配置成将所述晶片的抛光量与目标抛光量进行比较，以生成下一个抛光过程的控制信号。
8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述命令部件生成抛光压力、抛光旋转速度、抛光时间和浆料供应量的控制信号。
9.一种用于测量晶片的抛光量的方法，所述方法包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：李相昊，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：
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