【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及晶圆的湿法刻蚀领域，尤其涉及一种晶圆的湿法刻蚀多参数调整的方法及装置。
技术介绍
1、湿法刻蚀是现有常用的晶圆刻蚀方法，广泛应用于日常生产中。在湿法刻蚀工艺中刻蚀时间或刻蚀液温度或者晶圆的转动速度等多因素的细微变化,均会引起刻蚀药液刻蚀量的变化,直接导致基板金属圆柱侧蚀 (undercut)过大或者基板表面有金属残留，严重影响晶圆的质量，增加了晶圆的不良率。目前，常用的解决方式，是通过单一因素的调整来保证晶圆的刻蚀量符合预定的要求，但这种调节方式单一且效果有限，大多数时，并不能获得最好的刻蚀效果。
2、针对上述问题，尚无较好的解决方案。
技术实现思路
1、本专利技术为解决上述技术问题，提出了晶圆湿法刻蚀的多参数调节方法和装置，以解决至少一个上述技术问题。
2、一种晶圆湿法刻蚀的多参数调节方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤s1：获取生产当前批次晶圆的湿法刻蚀所需时间、湿法刻蚀的待刻蚀晶圆的转动速度以及湿法刻蚀温度，并计算当前批次晶圆的平均刻蚀量；步骤s...
【技术保护点】
1.一种晶圆湿法刻蚀的多参数调节方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3包括：
6.一种晶圆湿法刻蚀的多参数调节装置，所述调节装置包括：刻蚀槽、加热器、冷却器、定时器、旋转装置、旋转控制单元以及总控制单元，其特征在于，所述刻蚀槽，包括温度传感器、腐蚀液以及待刻蚀的所述晶圆，其中所述晶圆浸泡在所...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆湿法刻蚀的多参数调节方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s1包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s1还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s3包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤s3包括：
6.一种晶圆湿法刻蚀的多参数调节装置，所述调节装置包括：刻蚀槽、加热器、冷却器、定时器、旋转装置、旋转控制单元以及总控制单元，其特征在于，所述刻蚀槽，包括温度传感器、腐蚀液以及待刻蚀的所述晶圆，其中所述晶圆浸泡在所述腐...
【专利技术属性】
技术研发人员：李哲轩，请求不公布姓名，请求不公布姓名，
申请(专利权)人：深圳市泰科思特精密工业有限公司，
类型：发明
国别省市：
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