一种硅基半导体固废的多过程配合提纯方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基半导体固废的多过程配合提纯方法，首先需要对原始的切割废料粉体进行表面氧化有机残留物清洗；利用不同类别酸液对表面氧化层和金属杂质进行溶解分离；利用直流电源对搭建好的升降式电解槽中粉体材料进行电解；对电解完成的粉体进行多次清洗，干燥，得到纯度明显提高的粉体材料。本发明专利技术利用多过程配合电解法有效提纯硅基半导体切割废料，得到去除表面有机残留和氧化层、金属杂质的产品。其电解速度快，材料表面处理工艺简单，经济环保，能够进行大规模的运用，而且电解液可以经过循环过滤系统以实现循环多次利用，利用率高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于硅基半导体固废的处理和提纯领域，具体涉及一种硅基半导体固废的多过程配合提纯方法。

技术介绍

1、电子和光伏产业的快速发展及其在各行各业中的广泛应用，极大的增加了半导体材料，特别是硅基半导体材料的需求。硅基半导体在芯片和太阳能电池等领域的主导地位，以及其在晶体管、二极管、整流器件中的优异性能，已经使硅材料成为本世纪至今最重要的半导体材料。尽管硅基半导体的提纯和提拉熔炼仍需要极高的能耗，其仍然是行业的工业必需品。

2、芯片和光伏组件均采用硅片作为基底或基本单元，其线切割的工艺、良品率和产量也决定了产品的成本和质量。目前，光伏组件用硅基半导体片的厚度已接近100μm，其厚度每下降10μm，成本将下降0.01元/w。然而，厚度的降低必然增加金刚石线的数量，其片间距的硅基切割固废则急剧增加，已达到硅锭的35～40％。硅基固废在工业冲洗收集过程中会因有机辅助试剂、氧化、切割线材附着等原因引入杂质，但其中的晶体硅粉料仍然具有极高的纯度。考虑到6n～9n的晶体硅固废纯度依然很高，且不可降解，许多传统方案仅通过有机溶剂和酸洗对其表面有机和金属附着进本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅基半导体固废的多过程配合提纯方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

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【技术特征摘要】

1.一种硅基半导体固废的多过程配合提纯方法，其特征在于包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪嘉恒，叶喜豪，蒋铠杰，魏浩山，陈志远，蔡成，
申请(专利权)人：合肥工业大学，
类型：发明
国别省市：