【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体，特别涉及一种标准单元的布局结构及其布局方法。
技术介绍
1、随着集成电路集成度的提高，集成电路的复杂程度也越来越高。为了提升集成电路版图设计的可靠性，同时减小版图设计的成本，标准单元被引入集成电路版图中。
2、标准单元本身具有逻辑功能，不同的标准单元可以由不同的门级电路构成，使得不同的标准单元组合后可以具有不同的逻辑功能。当后续在对电路进行改版时，可以利用备用的这些标准单元组合成新的逻辑电路来改善电路的问题，进而可以减小版图设计的成本以及周期。
3、然而，目前在利用标准单元对电路进行改版的复杂程度需要进一步降低。
技术实现思路
1、本公开实施例提供一种标准单元的布局结构及其布局方法，至少有利于降低对标准单元版图进行改版的复杂程度。
2、本公开实施例提供一种标准单元的布局结构，包括：
3、多个底层版图，所述底层版图用于形成至少一个晶体管；第一金属层，设置于所述底层版图的顶部，所述第一金属层包括多个输入金属线图案和输出金属...
【技术保护点】
1.一种标准单元的布局结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述第一开关图案的第一端与所述第一金属线图案部分重合，第二端与所述输入金属线图案部分重合。
3.根据权利要求1或2所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述第二金属层还包括：第二金属线图案，所述第二金属线图案用于形成第二金属线，所述第二金属线与所述输出金属线电连接。
4.根据权利要求1所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述底层版图包括：
5.根据权利要求1所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述第一金属线图案包括...
【技术特征摘要】
1.一种标准单元的布局结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述第一开关图案的第一端与所述第一金属线图案部分重合，第二端与所述输入金属线图案部分重合。
3.根据权利要求1或2所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述第二金属层还包括：第二金属线图案，所述第二金属线图案用于形成第二金属线，所述第二金属线与所述输出金属线电连接。
4.根据权利要求1所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述底层版图包括：
5.根据权利要求1所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述第一金属线图案包括第一电源线图案和第一地线图案，所述第一电源线图案用于形成第一电源线，所述第一地线图案用于形成第一地线，若所述晶体管为nmos晶体管，则所述第一开关图案被配置为：使所述输入金属线与所述第一地线电连接；若所述晶体管为pmos晶体管，则所述第一开关图案被配置为：使所述输入金属线与所述第一电源线电连接。
6.根据权利要求4所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述底层版图还包括：隔离层，包括多个隔离图案，所述隔离图案位于所述有源区图案的两侧，用于形成隔离阱；所述输入金属线图案沿所述有源区图案指向所述隔离图案的方向延伸。
7.根据权利要求6所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述输入金属线图案横跨所述隔离图案。
8.根据权利要求7所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述隔离图案包括：
9.根据权利要求8所述的标准单元的布局结构，其特征在于，所述底层版图的数量为多个，其中，至少一个所述底层版图对应的所述输入金属线图案横跨所述第二区的所述隔离图案。
【专利技术属性】
技术研发人员：卢美香，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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