【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及硅片清洗，尤其涉及一种硅片分离的处理方法。
技术介绍
1、硅片在磷扩或硼扩加工后，需要进行酸洗，然而浸泡用pvc花篮中硅片与硅片之间间距极小，酸洗浸泡后硅片表面容易存在残酸，如果残酸未清除干净直接烘烤，会导致硅片表面存在的残酸形成难以去除的印记，这些印记不仅会导致trr不良现象，而且残酸印记也会影响喷砂后硅片表面的均匀性，现有工艺中为了尽可能保证残酸去除，会采用异丙醇对酸洗后的硅片进行浸泡处理，但是异丙醇易燃，浸泡异丙醇后的硅片进入烘箱时可能会带来安全隐患。
2、鉴于此，如何提供一种更加安全，同时对残酸的去处效果更好的硅片处理方法成为目前亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术提出了一种硅片分离的处理方法，该方法可以对硅片表面的残酸去除更加彻底，降低了trr不良率，同时安全性更高，有利于提升硅片的电性良率和产品品质。
2、本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术提供了一种硅片分离的处理方法，包括如下步骤：
3、步...
【技术保护点】
1.一种硅片分离的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的硅片分离的处理方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液为电子级，氢氟酸溶液的质量浓度为47-49％，氢氟酸溶液的温度为20-45℃。
3.如权利要求1所述的硅片分离的处理方法，其特征在于，摆片处理包括：将PVC花篮内的硅片摆放至另一特氟龙花篮内。
4.如权利要求1所述的硅片分离的处理方法，其特征在于，所述清洗剂溶液中溶质的质量浓度为0.9％。
5.如权利要求1所述的硅片分离的处理方法，其特征在于，所述超声处理的超声波频率为40kHz，清洗剂溶液的温度为
【技术特征摘要】
1.一种硅片分离的处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.如权利要求1所述的硅片分离的处理方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液为电子级，氢氟酸溶液的质量浓度为47-49％，氢氟酸溶液的温度为20-45℃。
3.如权利要求1所述的硅片分离的处理方法，其特征在于，摆片处理包括：将pvc花篮内的硅片摆放至另一特氟龙花篮内。
4.如权利要求1所述的硅片分离的处理方法，其特征在于，所述清洗剂...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏胤，张彦祖，
申请(专利权)人：扬州虹扬科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：
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