一种新型二氧化锡制备方法及其应用技术

本发明专利技术属于二氧化锡SnO<subgt;2</subgt;制备领域，公布了一种新型二氧化锡制备方法及其应用。本发明专利技术以SnCl<subgt;2</subgt;·2H<subgt;2</subgt;O作为锡源、氨水NH<subgt;3</subgt;·H<subgt;2</subgt;O为沉淀剂、双氧水H<subgt;2</subgt;O<subgt;2</subgt;为氧化剂，采用PH计与ORP电位仪同时调控PH范围和氧化还原电位范围的制备方法制备结晶度良好的Sn(OH)<subgt;4</subgt;，进而得到SnO<subgt;2</subgt;。相比目前的SnO<subgt;2</subgt;制备方法可更有效解决Sn(OH)<subgt;4</subgt;包夹大量的水、杂质离子，难于过滤、洗涤，煅烧后很难得到高纯度的SnO<subgt;2</subgt;的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于二氧化锡sno2制备领域，具体涉及一种新型二氧化锡制备方法及其应用。

技术介绍

1、sno2是一种稳定的化合物，难溶于酸或碱溶液；sno2是一种宽带隙n型半导体材料，具有较好的化学稳定性、较高的导电性和较高的可见光透过率，禁带宽度为3.6ev。由于其优越的光电性能，sno2成为第一个投入商用的透明导电材料，在国内外等诸多光电产业领域中有着广阔的研究价值和应用价值。尤其是随着光电产业领域的进一步的需求，并且sno2颗粒的纯度、粒度以及性能将会影响其产品性能，因此，增加二氧化锡的制备方法具有重要意义，是未来研究的重点方向。

2、本项目针对制备二氧化锡提供了一种新型二氧化锡制备方法，

技术实现思路

1、本专利技术提供了一种新型二氧化锡制备方法，可克服现有技术中存在的缺点与不足，采用sncl2·2h2o作为锡源，通过调控ph值与氧化还原电位之间相互密切的关系，得到结晶度良好的sn(oh)4，进而煅烧得到高纯度的sno2，有效地降低了sno2的杂质含量，相比现有技术更加简易，并且有效解决包夹大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种新型二氧化锡制备方法，其特征在于，所述二氧化锡的制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述新型二氧化锡的制备方法，其特征在于，步骤(1)中所述去离子水纯度为EC＜1us/cm。

3.根据权利要求1所述新型二氧化锡的制备方法，其特征在于，步骤(2)中所述电位范围为13.05-151mV。

【技术特征摘要】

1.一种新型二氧化锡制备方法，其特征在于，所述二氧化锡的制备方法包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述新型二氧化锡的制备方法，其特征在于，步骤(1)中...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟伟龙，梁业成，胡龙，丁俊卿，曾纪术，秦健春，王永清，
申请(专利权)人：广西科技大学，
类型：发明
国别省市：