半导体器件制造技术

本申请实施例公开了一种半导体器件，半导体器件包括了芯片、介质薄膜、RDL线路层和外层电路，芯片嵌入到介质薄膜之内，然后在介质薄膜上进行RDL线路层制作，使芯片PAD与RDL线路层形成互连，再通过增层的方式来制作其余所需的外层电路，完成整电路制作的同时，芯片也完成了封装，基于此将介质薄膜作为封装基板，采用嵌入的方式固定芯片。这样可以大幅节省封装基板表面空间，从而使封装后的半导体器件的尺寸大幅降低，使得本申请实施例提供的半导体器件在高密度芯片的I/O接口扇出方面，可以采用半导体封装技术做到线宽/线距在10um/10um的设计，这样可以进一步节省封装基板表面空间，从而使封装后的半导体器件尺寸大幅降低。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及半导体，尤其涉及一种半导体器件。

技术介绍

1、自集成电路器件的封装从单个组件的开发，进入到多个组件的集成后，随着产品效能的提升以及对轻薄和低耗需求的带动下，迈向封装整合的新阶段。在此发展方向的引导下，形成了电子产业上相关的两大新主流：系统单芯片soc(system on chip)与系统化封装sip(systemin packag)。

2、由于摩尔定律的优势越来越难以实现，成本也越来越高，全球半导体产业界正致力于寻找后摩尔定律时代的突破口。美国半导体行业协会(sia)于2015年宣布停止更新itrs(国际半导体技术路线图)，接力棒交给了异构集成路线图(hir，于2019年10月发布)，其焦点集中在系统级封装(sip)以及未来10年至15年的发展方向：3d、3d互连和晶圆级封装。

3、sip是从封装的立场出发，对不同芯片进行并排或叠加的封装方式，将多个具有不同功能的有源电子元件与可选无源器件，以及诸如mems或者光学器件等其他器件优先组装到一起，实现一定功能的单个标准封装件。

4、sip封装技术采取多种裸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述背面线路层包括：

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，

7.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，

8.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，

9.根据权利要求1至5中任一...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述背面线路层包括：

6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯雪，王波，魏瑀，滕乙超，阳俊航，刘洋洋，
申请(专利权)人：浙江清华柔性电子技术研究院，
类型：新型
国别省市：