【技术实现步骤摘要】
本技术涉及硅晶片加工，尤其涉及一种硅晶片热退火处理装置。
技术介绍
1、硅晶片又称晶圆片，由硅锭加工制成，并可通过特定的工艺方法在硅晶片表面刻蚀出数以百万计的晶体管，被广泛应用于集成电路的制造，在硅晶片的加工制程中，需要对硅晶片进行热退火处理，通过将硅晶片加热到一定温度，并在此温度下保持一段时间，接着以受控的速度冷却，以改善硅晶片材料的微观结构和性能，进而提高硅晶片的稳定性和可靠性、提高硅晶片的质量及优化晶体器件的性能和可靠性。对于热退火处理所依赖的热处理装置，为了保证硅晶片热退火处理的效果，现有技术中大多在热处理装置中装配一个上盖板，且设置于硅晶片的上方，可在加热器加温时，使得整个硅晶片的受热面积更加均匀。在高温制程中，溅镀在硅晶片的金属材料会因高温而产生散逸的现象，附着在热处理装置内部腔体上导致腔体发生污染问题，上盖板也可减缓腔体的污染现象；同时，上盖板还可防止腔体内硅晶片上的金属材料会发出的气体影响腔体内的氮气流动，以进一步保证硅晶片热退火处理的效果。
2、由于前述上盖板的设计，从热处理装置中取出热处理后的硅晶片时，需...
【技术保护点】
1.一种硅晶片热退火处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述分离组件还包括：设置于所述支撑板底部且与所述第一顶柱组共同被所述驱动组件所驱动以仅推动硅晶片纵向移动的第二顶柱组；
3.根据权利要求2所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述支撑板由内向外被构造出与所述硅晶片贴合的第二导热区与第二边缘区，所述第一贯穿孔开设于所述第二导热区。
4.根据权利要求3所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述第二边缘区开设供所述第一顶柱贯穿的第二贯穿孔。
5.根据权利要求3所述的...
【技术特征摘要】
1.一种硅晶片热退火处理装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述分离组件还包括：设置于所述支撑板底部且与所述第一顶柱组共同被所述驱动组件所驱动以仅推动硅晶片纵向移动的第二顶柱组；
3.根据权利要求2所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述支撑板由内向外被构造出与所述硅晶片贴合的第二导热区与第二边缘区，所述第一贯穿孔开设于所述第二导热区。
4.根据权利要求3所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述第二边缘区开设供所述第一顶柱贯穿的第二贯穿孔。
5.根据权利要求3所述的硅晶片热退火处理装置，其特征在于，所述壳体包括：设置于支撑板底部且与所述壳体固定连接的固定架；
6.根据权利要求5所述的硅晶片热退火处理装置...
【专利技术属性】
技术研发人员：许志宏，林文玮，赖政志，林锦辉，李奕攸，萧志斌，
申请(专利权)人：苏州芯默科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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