【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子陶瓷材料及其制造,具体涉及一种具有超低烧结温度的低损耗ltcc材料及其制备方法。
技术介绍
1、ltcc(低温共烧陶瓷)技术是当前最为主流的无源集成技术,在实现电子元器件的小型化、集成化发展方面发挥了非常重要的作用。除了电子元器件外,ltcc技术在集成封装基板领域也有广泛的应用。在ltcc基板和高频应用的ltcc元器件中,一般要求采用的ltcc材料具有较低的介电常数(εr<10),这样有助于降低信息传输的延迟时间;尽量低的介电损耗(高q×f),这样有助于降低器件或基板中介质引起的损耗以及尽量接近于零的谐振频率温度系数τf,这样有助于降低温度变化对ltcc器件和基板性能的影响。
2、目前国内外有很多针对低介ltcc材料的研究,而采用磷酸盐体系陶瓷研发低介ltcc材料优势较为明显,首先,磷酸盐普遍具有较低的烧结温度,其次,成本较低的同时微波介电性能性能优异。典型的磷酸盐ltcc材料体系包括limgpo4和liznpo4,其常作为发光材料得到研究,此外也包括limnpo4、amp2o7(a=ca、sr,m=
...【技术保护点】
1.一种具有超低烧结温度的低损耗LTCC材料,其特征在于,所述低损耗LTCC材料由Li2MgP2O7单相构成,所述Li2MgP2O7单相包括MgH2P2O7和LiNO3。
2.权利要求1所述的具有超低烧结温度的低损耗LTCC材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
3.根据权利要求2所述的具有超低烧结温度的低损耗LTCC材料的制备方法,其特征在于,所述镁盐和NaH2PO4溶液的体积比为1:1-2,其中镁盐为MgCl2或Mg(OH)2。
4.根据权利要求2所述的具有超低烧结温度的低损耗LTCC材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1
...【技术特征摘要】
1.一种具有超低烧结温度的低损耗ltcc材料,其特征在于,所述低损耗ltcc材料由li2mgp2o7单相构成,所述li2mgp2o7单相包括mgh2p2o7和lino3。
2.权利要求1所述的具有超低烧结温度的低损耗ltcc材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
3.根据权利要求2所述的具有超低烧结温度的低损耗ltcc材料的制备方法,其特征在于,所述镁盐和nah2po4溶液的体积比为1:1-2,其中镁盐为mgcl2或mg(oh)2。
4.根据权利要求2所述的具有超低烧结温度的低损耗ltcc材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)和(4)烘干温度均为100-120℃。
5.根据权利要求2所述的具有超低烧结温度的低损耗ltcc材料的制备方法,其特征在于,所述mgh2p2o7和lino3的摩尔比为1:1-3。
6.根据权利要求2所述的具有超低烧结温度的低损耗ltcc材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)的烧结温度为500...
【专利技术属性】
技术研发人员:王曦,李馥余,
申请(专利权)人:成都灏众科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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