【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及阻抗变换领域，具体涉及一种宽带高平衡单端转差分阻抗变换器。
技术介绍
1、随着现代无线通信技术的飞速发展，各种终端设备、网络设备对射频微波模块和射频元器件提出了更高的要求。然而，随着电路工作频率的变高，电路的两路输出信号的幅度不平衡和相位不平衡会逐渐变差，分别如图6与图7所示。不平衡的电路会带来很多问题，比如较差的电磁兼容特性，抗干扰能力差等问题。
2、目前一般采用单端转差分阻抗变换解决电路中的不平衡问题，常见的单端转差分阻抗变换主要有两种：一种是采用运算放大器的形式；第二种则是采用巴伦的形式。两种形式都可以实现单端到差分的阻抗变换。如cn115173833a公开的一种高平衡度有源巴伦电路，其包括射频信号输入端口、信号输入匹配级、单端转差分电路、输出负载级，其中，信号输入匹配级包括第一晶体管、第二晶体管、输入电阻、输入电感，单端转差分电路包括第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、电容。
3、该电路中引入了相位调整电感，通过电感的频相特性，补偿差分输出的相位不平衡性。但该有源巴伦电路的对称性差，同时也没...
【技术保护点】
1.一种宽带高平衡单端转差分阻抗变换器，其特征在于，主要由差分放大器有源巴伦、镜像电流源、第一输出电压缓冲结构以及第二输出电压缓冲结构组成，所述差分放大器有源巴伦包括第一晶体管(Q1)、第二晶体管(Q2)、第三晶体管(Q3)、第四晶体管(Q4)、第十一晶体管(Q11)、第十二晶体管(Q12)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一电感(L1)和第二电感(L2)，第一晶体管(Q1)的发射极与镜像电流源连接，第一晶体管(Q1)的基极接收输入信号，第一晶体管(Q1)的集电极通过第一电阻(R1)与第一晶体管(Q1)的基极连接，第一晶体管(...
【技术特征摘要】
1.一种宽带高平衡单端转差分阻抗变换器，其特征在于，主要由差分放大器有源巴伦、镜像电流源、第一输出电压缓冲结构以及第二输出电压缓冲结构组成，所述差分放大器有源巴伦包括第一晶体管(q1)、第二晶体管(q2)、第三晶体管(q3)、第四晶体管(q4)、第十一晶体管(q11)、第十二晶体管(q12)、第一电阻(r1)、第二电阻(r2)、第三电阻(r3)、第四电阻(r4)、第一电感(l1)和第二电感(l2)，第一晶体管(q1)的发射极与镜像电流源连接，第一晶体管(q1)的基极接收输入信号，第一晶体管(q1)的集电极通过第一电阻(r1)与第一晶体管(q1)的基极连接，第一晶体管(q1)的集电极还通过第一电感(l1)以及第二电阻(r2)与第三晶体管(q3)的集电极连接，第三晶体管(q3)的基极与第一晶体管(q1)的发射极连接，第三晶体管(q3)的发射极与镜像电流源连接，第一晶体管(q1)的集电极还通过第二电感(l2)以及第三电阻(r3)与第四晶体管(q4)的集电极连接，第四晶体管(q4)的发射极分别与第三晶体管(q3)的发射极以及镜像电流源连接，第一晶体管(q1)的集电极还与第二晶体管(q2)的集电极连接，第二晶体管(q2)的集电极通过第四电阻(r4)与第二晶体管(q2)的基极连接，第二晶体管(q2)的发射极分别与第四晶体管(q4)的基极以及镜像电流源连接，第一晶体管(q1)的集电极还与第十一晶体管(q11)的集电极连接，第十一晶体管(q11)的基极与第三晶体管(q3)的集电极连接，第十一晶体管(q11)的发射极分别与镜像电流源以及第一输出电压缓冲结构连接，第一晶体管(q1)的集电极还与第十二晶体管(q12)的集电极连接，第十二晶体管(q12)的基极与第四晶体管(q4)的集电极连接，第十二晶体管(q12)的发射极分别与镜像电流源以及第二输出电压缓冲结构连接。
2.根据权利要求1所述的宽带高平衡单端转差分阻抗变换器，其特征在于，所述镜像电流源包括第五晶体管(q5)、第六晶体管(q6)、第七晶体管(q7)、第八晶体管(q8)、第九晶体管(q9)、第十晶体管(q10)、第五电阻(r5)、第六电阻(r6)、第七电阻(r7)、第八电阻(r8)、第九电阻(r9)、第十电阻(r10)、第一电流源...
【专利技术属性】
技术研发人员：周科吉，王志宇，陈生川，张跃，侯建操，王勇，汤啸辰，张弛，王子傲，林航宇，
申请(专利权)人：成都玖锦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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