半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其抑制阈值电压等特性的波动。所述半导体装置具备：多个沟槽部；一个以上的台面部，其被两个沟槽部夹持；上表面电极，其不包含熔点比半导体基板的材料的熔点高的金属；以及阻挡金属，其包含熔点比半导体基板的材料的熔点高的金属，所述半导体装置具备：第一区域，其在沟槽部与上表面电极之间未设置阻挡金属，并且在与未设置阻挡金属的沟槽部相接的台面部与上表面电极之间设置有阻挡金属；以及第二区域，其在沟槽部与上表面电极之间设置有阻挡金属。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置。

技术介绍

1、以往，已知具备包含钛等的阻挡金属的半导体装置(例如参照专利文献1和2)。

2、专利文献1：日本特开2020-65000号公报

3、专利文献2：日本特开2021-190496号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在半导体装置中，优选抑制阈值电压等特性的波动。

3、技术方案

4、为了解决上述问题，在本专利技术的第一方式中，提供一种半导体装置，所述半导体装置形成于具有上表面和下表面的半导体基板。所述半导体装置可以具备多个沟槽部，所述多个沟槽部从所述半导体基板的所述上表面起形成到所述半导体基板的内部，并且在所述半导体基板的所述上表面沿第一方向排列而配置。所述任一半导体装置可以具备一个以上的台面部，所述一个以上的台面部被所述多个沟槽部中的两个沟槽部夹持。所述任一半导体装置可以具备上表面电极，所述上表面电极设置于所述半导体基板的所述上表面的上方，并且不包含熔点比所述半导体基板的材料的熔点高的金属。所述任一半导体装置可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求6所述的半...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

10.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

11.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

12.根据权利要求5至7中任一项所述的半导体装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：白川彻，加藤由晴，小田优喜，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：