【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种光电传感器及其形成方法。
技术介绍
1、光学测距传感器是以光为测量媒介，将被测量物的变化所引起的光信号的变化通过光电器件转换成电信号的一类传感器。
2、近年来，光学3d成像测距传感器被广泛运用于交通运输、计算机成像等领域。其中，itof(indirect time-of-flight)光学3d成像测距传感器和dtof(direct time-of-flight)光学3d成像测距传感器因其具有良好的光学性能，受到更多的关注。
3、在itof/dtof光学3d成像测距传感器的芯片制造中,通常采取背照式(backsideillumination)工艺结构来提升综合光学性能。其中，在背照式工艺中，背照式膜层结构设计对于光电二极管的光电转换率至关重要，从而影响了传感器的光子捕捉能力、传感器的成像质量和测距精度。
4、然而，在现有技术中，传感器的光电转换率、性能稳定性仍有待提升。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一...
【技术保护点】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光学介质层包括位于所述衬底第二面的第一介质结构和位于第一介质结构上的第二介质结构，所述第二介质结构的材料与第一介质结构的材料不同。
3.如权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第一介质结构的材料包括氧化铝；所述第二介质结构的材料包括氧化钽。
4.如权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述第一介质结构的厚度范围为90埃～110埃；所述第二介质结构的厚度范围为450埃～580埃。
5.如权利要求4所述的光电传感器，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种光电传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述光学介质层包括位于所述衬底第二面的第一介质结构和位于第一介质结构上的第二介质结构，所述第二介质结构的材料与第一介质结构的材料不同。
3.如权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第一介质结构的材料包括氧化铝；所述第二介质结构的材料包括氧化钽。
4.如权利要求3所述的光电传感器，其特征在于，所述第一介质结构的厚度范围为90埃～110埃；所述第二介质结构的厚度范围为450埃～580埃。
5.如权利要求4所述的光电传感器，其特征在于，还包括：位于所述光学介质层上的第一氧化层；所述第一氧化层的厚度范围为7000埃～9000埃。
6.如权利要求5所述的光电传感器，其特征在于，所述第一氧化层的材料为氧化硅。
7.如权利要求1所述的光电传感器，其特征在于，所述衬底包括第一外延层，所述光电掺杂区位于第一外延层内，所述光电掺杂区的导电类型与第一外延层的导电类型相反。
8.如权利要求7所述的光电传感器，其特征在于，所述第一外延层的厚度范围为5微米～7微米。
9.如权利要求4所述的光电传感器，其特征在于，所述器件层包括：位于所述第一面上的第二氧化层；位于所述第二氧化层上的第一材料层；位于所述第一材料层上的第三氧化层；位于所述第三氧化层上的第二材料层。
10.如权利要求9所述的光电传感器，其特征在于，所述第二氧化层的材料包括氧化硅；所述第一材料层的材料包括氮化硅；所述第三氧化层的材料包括氧化硅；所述第二材料层的材料包括铜。
11.如权利要求10所述的光电传感器，其特征在于，所述第二氧化层的厚度范围为310埃～390埃；所述第一材料层的厚度范围为360埃～440埃；所述第三氧化层的厚度范围为2800埃～3600埃；所述第二材料层的厚度范围为1450埃～1850埃。
12.如权利要求2所述的光电传感器，其特征在于，所述第一介质结构的材料包括氧化铝；所述第二介质结构的材料包括氮化硅。
13.如权利要求12所述的光电传感器，其特征在于，所述第一介质结构的厚度范围为90埃～110埃...
【专利技术属性】
技术研发人员：阎大勇，高长城，汪嘉伦，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。