双极晶体管和半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种双极晶体管和半导体装置。形成有台面结构，该台面结构包含层叠在基板上的集电极层、基极层以及发射极层。在台面结构上配置有与发射极层电连接的发射极电极。并且，在台面结构上配置有与基极层电连接的基极电极。集电极电极配置为在俯视时包围台面结构，集电极电极与集电极层电连接。发射极电极包含第一部分和第二部分。在俯视时，基极电极包围发射极电极的第一部分，发射极电极的第二部分包围基极电极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及双极晶体管和半导体装置。

技术介绍

1、作为高频放大元件，使用异质结双极晶体管(hbt)。作为表示hbt的高频特性的指标，有最大振荡频率fmax。最大振荡频率fmax是表示功率的放大率的指标。为了提高最大振荡频率fmax，希望降低基极电阻和基极集电极间结电容。

2、在下述的专利文献1中公开了一种双极晶体管，该双极晶体管在扩散区域形成有两个环状的基极端子、环状的发射极端子以及环状的集电极端子。在内侧的基极端子与外侧的基极端子之间配置有发射极端子。集电极端子包围外侧的基极端子。

3、专利文献1:日本特表2010－503999号公报

4、在专利文献1所公开的双极晶体管中，基极集电极结形成为在俯视时包含两个基极端子和发射极端子。基极集电极间的接合界面的面积比在发射极端子的面积上加上两个基极端子的量的面积所得的面积大。由于降低基极集电极间结电容很困难，因此提高最大振荡频率fmax也很困难。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种能够提高最大振荡频率fmax的双极本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种双极晶体管，具备：

2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，还具备：

3.根据权利要求1或2所述的双极晶体管，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的双极晶体管，其中，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的双极晶体管，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的双极晶体管，其中，

7.根据权利要求1至6中任一项所述的双极晶体管，其中，

8.一种半导体装置，包含多个权利要求1至7中任一项所述的双极晶体管，

9.一种半导体装置，包含多个权利要求1至7中任一项所述的双极晶体管，

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种双极晶体管，具备：

2.根据权利要求1所述的双极晶体管，其中，还具备：

3.根据权利要求1或2所述的双极晶体管，其中，

4.根据权利要求1至3中任一项所述的双极晶体管，其中，

5.根据权利要求1至3中任一项所述的双极晶体管，其中，

6.根据权利要求1至5中任一项所述的双极晶体管，其中，

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【专利技术属性】
技术研发人员：佐佐木健次，井上浩司，高桥新之助，后藤聪，近藤将夫，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：