一种光刻版结构及其加工方法技术

本发明专利技术公开了一种光刻版结构及其加工方法，属于光刻版技术领域。包括两组光刻版体，两组所述光刻版体贴合于晶圆片两面，还包括盖板，所述光刻版体中心处开设有排气孔，所述光刻版体一面设置有浅槽气道，所述浅槽气道由多条相互交叉的浅槽构成；所述排气孔与浅槽气道连通，所述光刻版体远离浅槽气道一面开设有连通直槽；所述浅槽气道与晶圆片的版图曝光线条正对，所述浅槽气道的槽宽小于或等于版图曝光线条宽度；所述连通直槽的槽宽与浅槽气道的槽宽一致；所述光刻版体于连通直槽一面密封贴合固定有盖板；本发明专利技术的光刻版结构及其加工方法，能够提高了半导体生产中光刻工艺的曝光精度，特别适用于晶圆片有微翘曲的光刻工艺。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术具体涉及一种光刻版结构及其加工方法，属于光刻版。

技术介绍

1、在半导体芯片生产中，光刻是很重要的一环；影响产品光刻精度的原因不仅仅是光刻设备及光刻胶，还有一些器件等自身的工艺特点所影响，如微翘曲的器件；在常规的光刻曝光生产中，晶圆片片与光刻版需要紧密结合，以达到更好的光刻线条精度；但是在实际生产中发现，由于晶圆片表面光刻胶的均匀性及一致性会有偏差，特别是晶圆片片的中心区域与边缘区域的胶厚差异，及光刻过程中会导致晶圆片与光刻版在接触的时候会有空气不易于排出，造成中心区域的光刻版与晶圆片贴合不紧密，另外，对于微翘曲的晶圆片片与光刻版容易导致贴合不紧密；当光刻版与晶圆片贴合不紧密，导致曝光后的线条图形会有缺陷，造成产品特性变差甚至报废。

技术实现思路

1、为解决上述问题，本专利技术提出了一种光刻版结构及其加工方法，能够提高了半导体生产中光刻工艺的曝光精度，特别适用于晶圆片有微翘曲的光刻工艺。

2、本专利技术的光刻版结构，包括两组光刻版体，两组所述光刻版体贴合于晶圆片两面，还包括盖板，所述光刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光刻版结构，包括两组光刻版体，两组所述光刻版体贴合于晶圆片两面，其特征在于：还包括盖板，所述光刻版体中心处开设有排气孔，所述光刻版体一面设置有浅槽气道，所述浅槽气道由多条相互交叉的浅槽构成；所述排气孔与浅槽气道连通，所述光刻版体远离浅槽气道一面开设有连通直槽；所述浅槽气道与晶圆片的版图曝光线条正对，所述浅槽气道的槽宽小于或等于版图曝光线条宽度；所述连通直槽的槽宽与浅槽气道的槽宽一致；所述光刻版体于连通直槽一面密封贴合固定有盖板；所述光刻版体、盖板和连通直槽之间形成过渡气道；所述过渡气道远离排气孔一端设置有管道接头；所述管道接头上连接有软管；所述软管连接到抽气设备或吹气设备。...

【技术特征摘要】

1.一种光刻版结构，包括两组光刻版体，两组所述光刻版体贴合于晶圆片两面，其特征在于：还包括盖板，所述光刻版体中心处开设有排气孔，所述光刻版体一面设置有浅槽气道，所述浅槽气道由多条相互交叉的浅槽构成；所述排气孔与浅槽气道连通，所述光刻版体远离浅槽气道一面开设有连通直槽；所述浅槽气道与晶圆片的版图曝光线条正对，所述浅槽气道的槽宽小于或等于版图曝光线条宽度；所述连通直槽的槽宽与浅槽气道的槽宽一致；所述光刻版体于连通直槽一面密封贴合固定有盖板；所述光刻版体、盖板和连通直槽之间形成过渡气道；所述过渡气道远离排气孔一端设置有管道接头；所述管道接头上连接有软管；所述软管连接到抽气设备或吹气设备。

2.根据权利要求1所述的光刻版结构，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈丹，田李庄，李兵，谢嘉慧，
申请(专利权)人：济南新芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：