上电监测电路及存储器制造技术

本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种上电监测电路及存储器，上电监测电路包括：监测模块和感测模块，监测模块被配置为监测电源电压并输出指示电压，感测模块被配置为基于指示电压产生上电标志信号；监测模块，包括：第一电阻串和第二电阻串，第一电阻串的第一端耦接电源电压，第二端连接分压节点；第二电阻串的第一端连接分压节点，第二端耦接接地端；驱动晶体管，第一端耦接接地端，第二端耦接指示电压的输出节点，控制端连接分压节点；分压电阻，第一端耦接电源电压，第二端耦接指示电压的输出节点；调节晶体管组，多个调节晶体管，调节晶体管与第二电阻并联设置，以避免温度变化对上电监测电路的影响，提高芯片工作的稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体电路设计领域，特别涉及一种上电监测电路及存储器。

技术介绍

1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)以及绝大部分其他芯片中，都包括上电检测电路，其中，上电检测电路用于芯片上电时监测电源电压的状态。

2、具体地，以lpddr4/lpddr5中的电源电压vdd1为例，电源电压vdd1在上电过程中，由0v上电至1.8v，上电检测电路中的监测阈值定义为1.2v(可以为1.0v或1.4v等其他数据，由生产商自行设置)，当电源电压vdd1达到或超过监测阈值时，上电检测电路输出的标识信号为“1”(“1”表征高电平)，当电源电压vdd1未达到监测阈值时，上电检测电路输出的标识信号为“0”(“0”表征低电平)，当上电检测电路输出的标识信号为“1”时，芯片其他电路开始工作。

3、然而，监测阈值会随温度变化产生较大变化，例如，假设130℃时监测阈值为1.2v，而-40℃时监测阈值变为1.7v，甚至达到1.8v与电源电压vdd1的电压值相同，此时电源电压vdd1充电至1.8v仍未达到监测本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种上电监测电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的上电监测电路，其特征在于，所述调节晶体管与多个所述第二电阻并联设置。

3.根据权利要求2所述的上电监测电路，其特征在于，所述调节晶体管的第二端连接控制端且耦接所述分压节点，第一端耦接所述接地端。

4.根据权利要求1所述的上电监测电路，其特征在于，m设置为大于等于n的整数。

5.根据权利要求1所述的上电监测电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻的设置类型相同。

6.根据权利要求1～5任一项所述的上电监测电路，其特征在于，所述调节晶体管的尺寸大于等于所述驱动晶体...

【技术特征摘要】

1.一种上电监测电路，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的上电监测电路，其特征在于，所述调节晶体管与多个所述第二电阻并联设置。

3.根据权利要求2所述的上电监测电路，其特征在于，所述调节晶体管的第二端连接控制端且耦接所述分压节点，第一端耦接所述接地端。

4.根据权利要求1所述的上电监测电路，其特征在于，m设置为大于等于n的整数。

5.根据权利要求1所述的上电监测电路，其特征在于，所述第一电阻和所述第二电阻的设置类型相同。

6.根据权利要求1～5任一项所述的上电监测电路，其特征在于，所述调节晶体管的尺寸大于等于所述驱动晶体管的尺寸。

7.根据权利要求6所述的上电监测电路，其特征在于，所述调节晶体管的尺寸等于所述驱动晶体管的尺寸。

8.根据权利要求1所述的上电监测电路，其特征在于，所述监测模块，还包括：稳定晶体管，第一端耦接电源电压，第二端耦接所述分压节点，控制端耦接所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李新，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：