一种低爬升高初粘硅胶保护膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种低爬升高初粘硅胶保护膜及其制备方法，其特征是：低爬升高初粘硅胶保护膜依次由离型膜基材层、离型膜层、硅胶层、第二抗静电层、基材层和第一抗静电层复合组成；所述基材层是PET薄膜、PI薄膜、PEN薄膜中的任一种；所述硅胶层由有机硅胶液经固化反应制成，有机硅胶液质量百分比组分包括5%～15%的硅油、5%～10%的硅橡胶、5%～10%硅树脂、0.1%～0.3%交联剂、0.05%～0.1%抑制剂、0.1%～0.3%锚固剂、0.3%～0.6%铂金催化剂、65%～84.45%溶剂。本发明专利技术低爬升高初粘硅胶保护膜粘性稳定、耐热性稳定、抗静电性能良好，适用作电子工业中电子元器件的制程、出货保护膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于保护膜及其制备，涉及一种低爬升高初粘硅胶保护膜及其制备方法。本专利技术(制备的)低爬升高初粘硅胶保护膜特别适用作电子工业中电子元器件的制程、出货保护膜。

技术介绍

1、pet硅胶保护膜是以pet透明膜作为基材，涂以甲基(乙烯基)硅橡胶、甲基(乙烯基)硅树脂而制成的保护膜，用于电子工业中电子元器件的制程、出货保护膜。其在具有贴合性好、排气性好、污染性小、无残胶、无溢胶的基础上，同时兼备高初粘、低爬升的特性。

2、低爬升高初粘硅胶保护膜最早应用于手机屏幕下散热铜箔的表面保护，后逐步在，应用于泡棉、滤网、滤纸等制程以及出货保护。

3、硅胶保护膜最早应用于各种制程过程中用表面保护，因其可调节的性能，以及稳定的粘性，后来逐渐在特殊被贴物中推广使用，其中就包括在手机中的散热导电铜箔制程出货保护，不同结构的散热片，对硅胶保护膜有不同的特殊性能要求。

4、现有技术中，cn116640528a公开了“一种单层硅胶保护膜及其制备方法”，主要是通过改性乙烯基mq硅树脂，再加入端羟基硅油以及催化剂，制成的硅胶保护膜具有良好剥离力稳本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：该低爬升高初粘硅胶保护膜依次由离型膜基材层（1）、离型膜层（2）、硅胶层（3）、第二抗静电层（4）、基材层（5）和第一抗静电层（6）复合组成；

2.按权利要求1所述的低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：所述有机硅胶液中：

3.按权利要求1或2所述的低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：所述基材层（5）、离型膜基材层（1）的厚度为25～250μm；所述硅胶层（3）的厚度为5～15μm；所述离型膜层（2）的厚度为25～100μm。

4.按权利要求1或2所述的低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：所述离型膜层（2）是无硅离型膜...

【技术特征摘要】

1.一种低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：该低爬升高初粘硅胶保护膜依次由离型膜基材层（1）、离型膜层（2）、硅胶层（3）、第二抗静电层（4）、基材层（5）和第一抗静电层（6）复合组成；

2.按权利要求1所述的低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：所述有机硅胶液中：

3.按权利要求1或2所述的低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：所述基材层（5）、离型膜基材层（1）的厚度为25～250μm；所述硅胶层（3）的厚度为5～15μm；所述离型膜层（2）的厚度为25～100μm。

4.按权利要求1或2所述的低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：所述离型膜层（2）是无硅离型膜或氟素离型膜。

5.按权利要求1或2所述的低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：所述第二抗静电层（4）、第一抗静电层（6）的制备方法均是；将抗静电剂涂覆于所述基材层（5）的一面、再烘干固化后即制得。

6.按权利要求5所述的低爬升高初粘硅胶保护膜，其特征是：所述抗静电剂为有机抗静电剂、无机填料型抗静电剂中一种或两种以上的混...

【专利技术属性】
技术研发人员：张方发，马慰栖，田昌，刘洪乐，朱东海，吴孔开，余莉，
申请(专利权)人：四川东材新材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：