一种去除碳化硅表面残留的清洁剂及其应用和清洁方法技术

本发明专利技术涉及碳化硅表面清洗技术领域，具体涉及一种去除碳化硅表面残留的清洁剂及其应用和清洁方法。清洁剂包括第一成分、pH调节剂和水；以占清洁剂质量的百分比计，第一成分包括6%~8%的3‑甲氧基‑3‑甲基丁醇、8%~10%的异构醇醚、10%~12%的表面活性剂和4%~6%的分散剂；pH调节剂含量为调节清洁剂的pH值为9~10的所需量；余量为水。本发明专利技术提供的去除碳化硅表面残留的清洁剂及清洁方法能够有效去除碳化硅产品表面因抛光处理附着的磨料、抛光蜡等脏污，提升碳化硅产品良率，刷洗时间由200秒/片缩短至120秒/片，有效提升产能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及碳化硅表面清洗，具体涉及一种去除碳化硅表面残留的清洁剂及其应用和清洁方法。

技术介绍

1、碳化硅作为第三代半导体材料，在航空航天、电力电子、通信、汽车、能源等领域都有着广阔的应用前景。碳化硅的表面质量对产品性能有很大影响，因此需要对碳化硅进行抛光，以降低表面粗糙度。碳化硅在抛光后表面会残留抛光液，现有使用spm清洗液、dhf清洗液、sc-1清洗液及sc-2清洗液等进行rca清洗以及兆声波处理的方法很难去除这些残留的抛光液。

2、现有技术对碳化硅表面抛光液残留的清洁剂及清洁方法的关注较少，这方面的研究目前仍处于相对空白的状态。虽然研究者们针对微晶玻璃、单晶硅片等材料抛光后的表面沾污问题提出了一些解决办法，但这些方法针对的主要是材料表面的金属离子残留或油污，与碳化硅抛光后表面残留的高硬度磨料、抛光蜡等沾污不同，因此并不具备参考价值。

3、另一方面，还有一些技术人员使用超纯水配合刷头对碳化硅产品表面进行刷洗，这种方法的缺点之一是刷洗时间比较长，通常刷洗一片碳化硅抛光片需要200s的时间，产能较低，而且这种方法并不能非常有效地本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种去除碳化硅表面残留的清洁剂，其特征在于，包括第一成分、pH调节剂和水；

2.如权利要求1所述的清洁剂，其特征在于，异构醇醚为异构十醇乙二醇醚或异构十三醇乙二醇醚。

3.如权利要求1所述的清洁剂，其特征在于，表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠。

4.如权利要求1所述的清洁剂，其特征在于，分散剂为焦磷酸钾、焦磷酸钠或偏磷酸钠。

5.如权利要求1所述的清洁剂，其特征在于，pH调节剂为碳酸钠、碳酸氢钠、醋酸钠、氢氧化钠或氢氧化钾。

6.一种如权利要求1~5任一项所述的清洁剂在清洁碳化硅中的应用。

7.一种去除碳化硅表面残留...

【技术特征摘要】

1.一种去除碳化硅表面残留的清洁剂，其特征在于，包括第一成分、ph调节剂和水；

2.如权利要求1所述的清洁剂，其特征在于，异构醇醚为异构十醇乙二醇醚或异构十三醇乙二醇醚。

3.如权利要求1所述的清洁剂，其特征在于，表面活性剂为十二烷基苯磺酸钠。

4.如权利要求1所述的清洁剂，其特征在于，分散剂为焦磷酸钾、焦磷酸钠或偏磷酸钠。

5.如权利要求1所述的清洁剂，其特征在于，ph调节剂为碳酸钠、碳酸氢钠、醋酸钠、氢氧化钠或氢氧化钾。

6.一种如权利要求1~5任一项所述的清洁剂在清洁碳化硅中的应...

【专利技术属性】
技术研发人员：李治刚，王昆鹏，王立凤，
申请(专利权)人：山东天岳先进科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：