一种溅射靶材刻蚀跑道的测量方法技术

本发明专利技术公开了一种溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，包括：采用带有三维拍摄模式的共聚焦显微镜拍摄溅射后的靶材溅射表面径向图像；使用图像处理软件处理拍摄得到的三维图像，依次进行校平、填充、提取剖面等步骤，得到靶材刻蚀跑道的轮廓曲线；对轮廓曲线进行距离、高度、面积等几何测量，得到跑道最大宽度、跑道中心处圆周直径、溅射截面面积、跑道最深处高度以及靶材溅射刻蚀体积等几何尺寸参数。由于采用共聚焦显微镜进行拍摄测量，具有操作便捷、图像形态细节清晰等优点，能够得到靶材溅射刻蚀表面的三维真彩图像，测量时对靶材溅射表面不会造成任何破坏，尤其适用于4英寸及以下小尺寸靶材的溅射刻蚀跑道及几何尺寸参数的微米级测量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及溅射靶材尺寸测量，特别涉及一种溅射靶材刻蚀跑道的测量方法。

技术介绍

1、磁控溅射镀膜技术是半导体、磁记录存储、光学、太阳能及信息显示等领域常用的关键工艺。尤其是在高端先进制造领域，溅射靶材通常为价值较高的高纯稀贵金属材料，对靶材击穿寿命控制有着严格要求。受磁控溅射源结构设置的影响，溅射时所用靶材被刻蚀的表面形貌是不均匀的，溅射跑道区域最深处的深度决定了靶材的使用寿命，溅射刻蚀体积决定了靶材的使用效率。因此，对溅射靶材刻蚀表面的精确测量和有效监控是溅射靶材尺寸测量技术中的关键环节。

2、cn102521445a公开了一种磁控溅射设备中铜靶刻蚀形貌的仿真计算方法，包括：通过ansys仿真或用三维高斯计测量，取得磁电管在靶材表面磁场强度的水平分量，进行多项式拟合后，建立有效磁场数据矩阵，并求得刻蚀跑道矩阵；根据磁电管实际结构及运动原理，计算磁铁组件中心点运动轨迹方程；建立靶材刻蚀矩阵，得到该步长上靶材刻蚀矩阵；将靶材刻蚀时间t离散化，得刻蚀时间t后靶材刻蚀矩阵；通过矩阵运算，得到需要的参数或图形，比如靶材刻蚀三维形貌、靶材刻蚀曲线、刻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：步骤(2)中，校平方法为最小二乘平面法，为使校平速度更快而采用减法操作。

3.根据权利要求1所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：步骤(2)中，填充非测量点时采用从邻近值计算出的平滑形状进行填充，保证轮廓曲线的连续和光滑。

4.根据权利要求1所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：步骤(2)中，在拍摄的三维图像中提取剖面，得到轮廓曲线。

5.根据权利要求4所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：...

【技术特征摘要】

1.一种溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：步骤(2)中，校平方法为最小二乘平面法，为使校平速度更快而采用减法操作。

3.根据权利要求1所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：步骤(2)中，填充非测量点时采用从邻近值计算出的平滑形状进行填充，保证轮廓曲线的连续和光滑。

4.根据权利要求1所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：步骤(2)中，在拍摄的三维图像中提取剖面，得到轮廓曲线。

5.根据权利要求4所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：使用计量滤波器对轮廓曲线进行过滤、平滑操作，滤波器类型为高斯滤波器，截止点在0.001～10mm范围内任意设定。

6.根据权利要求1所述的溅射靶材刻蚀跑道的测量方法，其特征在于：步骤(3)中，对轮廓曲线进行距离测量，测量出靶材...

【专利技术属性】
技术研发人员：李思勰，闻明，沈月，施晨琦，巢云秀，许彦亭，刘子其，唐可，
申请(专利权)人：云南贵金属实验室有限公司，
类型：发明
国别省市：