一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法及装置，所述方法包括：使用复杂可编程逻辑器件控制电平转换模块生成针对待测芯片的若干待测信号，其中，所述待测信号包括对所述待测芯片进行读/写操作时的访问区域、测试电压及测试频率，所述待测芯片为SPI NAND Flash芯片；使用所述若干待测信号对所述待测芯片进行读/写操作；验证所述读/写操作结果的正确性。本发明专利技术可以实现较短时间内模拟较多使用场景的测试，以快速验证SPI NAND Flash芯片的各种极限性能以及是否符合产品使用，实现测试效率的极大提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及性能测试，尤其是涉及一种spi nand flash芯片性能测试方法及装置。

技术介绍

1、spi nand flash是一种将spi(serial peripheral interface，串行外围设备接口)总线和nand flash(not and flash，与非闪存)存储器结合在一起的存储器设备。它通过spi总线进行控制和读写操作，具有nand flash存储器的高容量和低成本优势，并且具有spi flash存储器的低功耗和高速度优势，因此在包括嵌入式系统和移动设备等多个领域中作为数据存储、操作系统存储和固件存储等被广泛使用。

2、由于spi nand flash芯片容量大，有可能存在坏块以及主芯片适配等一系列问题，因此，在选择及使用spi nand flash芯片前需要对芯片进行严格测试。而近几年，spinand flash芯片的发展趋势加速，生产flash芯片的厂家快速涌现，而由于芯片可选择多，芯片质量参差不齐，因此对芯片进行测试的工作量非常大，而如果测试不充分，则问题很容易在批量生产或者工程中暴露，从而对产品品质造成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种SPI NAND Flash芯片性能测试方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测芯片包括若干块，每个块中包括若干页；所述若干待测信号的访问区域为根据指定规律依次从所述待测芯片中各个块中选择的指定页，所述测试电压为所述待测芯片的标准电压，所述测试频率为所述待测芯片的标准时钟频率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待测芯片包括N个块，每个块包括M个页，每个页被划分为s个扇区；所述指定规律为，第n个块中选择的被访问区域为第m个页的第i个扇区，其中，1≤n≤N，m为n除以M的余数且M整除n时m＝M，i为m除...

【技术特征摘要】

1.一种spi nand flash芯片性能测试方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待测芯片包括若干块，每个块中包括若干页；所述若干待测信号的访问区域为根据指定规律依次从所述待测芯片中各个块中选择的指定页，所述测试电压为所述待测芯片的标准电压，所述测试频率为所述待测芯片的标准时钟频率。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述待测芯片包括n个块，每个块包括m个页，每个页被划分为s个扇区；所述指定规律为，第n个块中选择的被访问区域为第m个页的第i个扇区，其中，1≤n≤n，m为n除以m的余数且m整除n时m＝m，i为m除以s的余数且s整除m时i＝s。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述若干待测信号的访问区域为所述待测芯片的若干指定块，所述测试电压为所述待测芯片的标准电压，所述测试频率为所述待测芯片的标准时钟频率；

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述若干待测信号的访问区域为所述待测芯片中依次选择的各个块，所述测试电压为所述待测芯片的标准电压，所述测试频率为...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐培根，
申请(专利权)人：广州芯德通信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：