一种反熔丝阵列和半导体结构制造技术

本公开实施例提供了一种反熔丝阵列和半导体结构，该反熔丝阵列包括：呈阵列排布的多个第一反熔丝单元，第一反熔丝单元包括第一选择器件和第一编程器件，第一选择器件的第一端和第一编程器件的第一端连接；多个位线，位线沿第二方向延伸，位于同一列的第一选择器件的第二端均连接至同一位线；多个第一字线，第一字线沿第一方向延伸，位于同一行的第一选择器件的控制端均连接至同一第一字线；多个第一编程导线，第一编程导线沿第一方向延伸，位于同一行的第一编程器件的控制端均连接至同一第一编程导线；第一编程导线具有第一辅助结构。本公开实施例提供的反熔丝阵列能够降低编程导线上的电流密度，避免编程导线熔断。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体，具体涉及但不限于一种反熔丝阵列和半导体结构。

技术介绍

1、反熔丝器件(anti–fuse，af)是一次性可编程器件(one time program，otp)，广泛用于动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)等存储器中。反熔丝器件由两个导电层及介于导电层之间的介质层(例如栅氧化层)构成的半导体器件。未编程时，两个导电层被介质层隔开，反熔丝断路；编程时，外加高电压使介质层被高电压击穿，使得两个导电层之间形成电连接，也称为反熔丝器件被熔断。利用反熔丝器件的未熔断、熔断两种状态可以分别代表逻辑值“0”和逻辑值“1”。目前，在对反熔丝器件进行熔断处理时，可能造成相关的编程导线熔断，进而导致同一行的其他反熔丝器件失效。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种反熔丝阵列和半导体结构。

2、第一方面，本公开实施例提供一种反熔丝阵列，所述反熔丝阵列包括：

3、呈阵列排布的多个第一反熔丝单元，所述第一反熔丝单元包括第一选择器件和第一编程本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种反熔丝阵列，其特征在于，所述反熔丝阵列包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述反熔丝阵列还包括：

3.根据权利要求2所述的反熔丝阵列，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一编程导线和所述第二编程导线之间存在电通路；

5.根据权利要求4所述的反熔丝阵列，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的反熔丝阵列，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的反熔丝阵列，其特征在于，

8.根据权利要求2所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一反熔丝单元还包括第一导电线，...

【技术特征摘要】

1.一种反熔丝阵列，其特征在于，所述反熔丝阵列包括：

2.根据权利要求1所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述反熔丝阵列还包括：

3.根据权利要求2所述的反熔丝阵列，其特征在于，

4.根据权利要求3所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一编程导线和所述第二编程导线之间存在电通路；

5.根据权利要求4所述的反熔丝阵列，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的反熔丝阵列，其特征在于，

7.根据权利要求5所述的反熔丝阵列，其特征在于，

8.根据权利要求2所述的反熔丝阵列，其特征在于，所述第一反熔丝单元还包括第一导电线，所述第二反熔丝单元还包括第二导电线；

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【专利技术属性】
技术研发人员：侯闯明，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：